NXVF6532M3TG01はOBC用650 V・SiCパワーモジュールで、オンセミが製造しています。同モジュールの導通抵抗を32 mオメガの温度を持つ感応機能、熱の弊最低、適用xevのdc-dcと車載充電器。
主な特徴です
・Al2O3 DBC付き650 V 32 m SiC MOSFETモジュールです
・SIP付きHブリッジ,車載充電器(OBC)用です
・走行距離/電気間隙はiec6064-1、IEC 60950-1に準拠しています。
・コンパクトな設計で、総モジュール抵抗が低いです
・完全なトレーサビリティーを実現するためにモジュールを直列化します。
•鉛フリー,ROHSおよびul94v-0規格準拠です
・aec-q101 /Q200とAQG324に準拠しています。
NXVF6532M3TG01モジュールの一般的なアプリケーションです。
・xEVアプリケーションの車載充電器用PFC/ dc-dcコンバータです
モデル
ブランド
パッヶージ
数量
説明
Microchip
SOT-227
1000
SiC MOSFETモジュールNチャンネル1200 V 55A (t) 245W (t) sot-227 (ISOTOP®)です。
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