商品名称:SiC MOSFETモジュール
ブランド:ON
年:24+
パッヶージ:PIM-18
納期:真新しいオリジナル
在庫数量:1000 件
NXH008P120M3F1PGは、8 m/ 1200 V SiC MOSFETハーフブリッジとサーミスタを内蔵したパワーモジュールで、F1パッケージを採用しています。
特徴です:
・8 m / 1200 V M3S SiC MOSFETハーフブリッジです
・サーミスタ抵抗です
・前塗り熱界面材(TIM)付きと、前塗りTIMなしの選択が可能です。
・プレスピンです
•これらのデバイスは鉛、ノンハロゲン化物、RoHS規格に準拠していません。
応用です:
ソーラー・インバータです
・無停電電源です
・電気自動車の充電ステーションです
・産業エネルギーです
モデル
ブランド
パッヶージ
数量
説明
Microchip
SOT-227
1000
SiC MOSFETモジュールNチャンネル1200 V 55A (t) 245W (t) sot-227 (ISOTOP®)です。
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NXH020P120MNF1PG
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NTHL032N065M3Sは650V炭化ケイ素(SiC) MOSFETです。新しい650V M3SフラットSiC MOSFETシリーズは、高速スイッチアプリケーションに最適化されています。プレーン技術は、負のゲート電圧駆動と一緒に確実に動作し、ゲートのピナクルを閉じます。同シリーズは18Vゲート駆動…NTH4L032N065M3S
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NTBG032N065M3Sは新しい650V M3SフラットSiC MOSFETシリーズのデバイスで、高速スイッチングアプリケーションのために最適化されています。プレーン技術は、負のゲート電圧駆動と一緒に確実に動作し、ゲートのピナクルを閉じます。同シリーズは18Vゲート駆動時に最適な性…連絡先電話:86-755-83294757
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