NTBGS1D5N06CシングルNチャンネルパワーMOSFETは、低RDS(on)、低キャパシタンスの小型、コンパクト設計のMOSFETです。 低RDS(on)値は導通損失を最小化し、低キャパシタンスはドライバ損失を最小化します。 このシングルNチャンネル・パワーMOSFETは鉛フリー、RoHS対応で、動作温度範囲は-55℃~175°です。
パラメータ
FETタイプ:Nチャンネル
技術:MOSFET(金属酸化膜)
ドレイン-ソース間電圧(Vdss):60 V
25°Cでの連続ドレイン電流(Id):35A(Ta)、267A(Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V、12V
異なるId、Vgsでのオン抵抗(最大):1.55 mΩ@64A、12V
異なるIdでのVgs(th)(最大): 4V @ 318µA
ゲート電荷(Qg)、Vgs(最大)時: 78.6 nC @ 10 V
Vgs(最大):±20V
入力キャパシタンス(Ciss)/Vds(最大): 6250 pF @ 30 V
許容損失(最大): 3.7W(Ta)、211W(Tc)
動作温度: -55°C ~ 175°C (TJ)
実装タイプ: 表面実装
サプライヤーデバイスパッケージ: TO-263 (D2PAK)
パッケージ/ケース:TO-263-7、D2PAK(6リード+タブ)
代表的アプリケーション
電動工具、バッテリー駆動フーバー
ドローン/UAV、マテリアルハンドリング
BMS/ストレージ、ホームオートメーション
モデル
ブランド
パッヶージ
数量
説明
ST
PowerFLAT-4
1000
Nチャンネル・ロジックレベル40V、最大2.2mΩ、167A STripFET F8 PowerFLAT 5x6パッケージのパワーMOSFET
ST
PowerFLAT-4
1000
Nチャンネル・ロジックレベル40V、最大2.2mΩ、167A STripFET F8 PowerFLAT 5x6パッケージのパワーMOSFET
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