商品名称:NチャンネルMOSFET
ブランド:ON
年:24+
パッヶージ:5-DFN
納期:真新しいオリジナル
在庫数量:15000 件
オン・セミコンダクターのNVMFS5C410NWFAFT1G Trench6 NチャネルMV MOSFETは、シールド・ゲート技術と組み合わせた高度なパワー・トレンチ・プロセスを使用して製造される40V MOSFETです。このプロセスは、オン抵抗を最小限に抑えるように最適化されており、さらに優れたスイッチング性能を維持する優れたソフト・ダイオードを備えています。
NVMFS5C410NWFAFT1Gの製品属性:
製品カテゴリ: MOSFET
技術:Si
実装スタイル: SMD/SMT
パッケージ/ケース:SO-8FL
トランジスタ極性: Nチャンネル
チャネル数: 1チャネル
Vds-ドレイン-ソース降伏電圧: 40 V
Id-連続ドレイン電流: 300 A
Rds-ドレインオン抵抗: 760 uOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧: - 20 V, + 20 V
Vgs th-ゲート・ソース間スレッショルド電圧:3.5 V
Qg-ゲート電荷: 86 nC
最低動作温度: - 55
最大動作温度:+ 175
Pd-電力損失:166 W
チャネル・モード:エンハンスメント
認定: AEC-Q101
シリーズ: NVMFS5C410N
構成: Single
ダウンタイム: 173 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小: 190 S
製品タイプ: MOSFET
立ち上がり時間: 162 ns
工場出荷時パッケージ数量: 1500
サブカテゴリー: MOSFET
トランジスタタイプ: 1 Nチャンネル
標準オフ遅延時間: 227 ns
典型的なターンオン遅延時間:54 ns
ユニット重量: 187 mg
モデル
ブランド
パッヶージ
数量
説明
ST
PowerFLAT-4
1000
Nチャンネル・ロジックレベル40V、最大2.2mΩ、167A STripFET F8 PowerFLAT 5x6パッケージのパワーMOSFET
ST
PowerFLAT-4
1000
Nチャンネル・ロジックレベル40V、最大2.2mΩ、167A STripFET F8 PowerFLAT 5x6パッケージのパワーMOSFET
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