NTB7D3N15MCはオン・セミコンダクターのシールド・ゲートPowerTrench® MOSFETで、オン抵抗を最小限に抑え、優れたスイッチング性能を(クラス最高のフレキシブル・ダイオードにより)維持するNチャネルMOSFETです。 このMOSFETは、他のMOSFETよりもQrrが低くなっています。 シールドゲートPowerTrench MOSFETは、スイッチングノイズ/電磁干渉(EMI)を低減します。
特長
シールドゲートMOSFET技術
最大RDS(on) = 7.3 m (VGS = 10 V、ID = 62 A)
他のMOSFETメーカーより50%低いQrr
スイッチングノイズ/EMIの低減
100%UILテスト済み
これらのデバイスは、鉛フリー、ハロゲンフリー/臭素系難燃剤フリー、RoHS対応です。
製品属性
製品カテゴリー:MOSFET
技術:Si
実装スタイル: SMD/SMT
パッケージ/ケース:D2PAK-3(TO-263-3)
トランジスタ極性: Nチャンネル
チャンネル数: 1チャンネル
Vds-ドレイン・ソース降伏電圧:150 V
Id-ドレイン連続電流:101 A
Rds-ドレインオン抵抗:7.3 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧: - 20 V, + 20 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい値電圧:4.5 V
Qg - ゲート電荷量: 53 nC
最低動作温度: - 55
最大動作温度: + 175 C
Pd-電力損失:166 W
チャネルモード:エンハンスメント
代表的なアプリケーション
ATX/サーバー/テレコム用PSUの同期整流
モータードライブおよび無停電電源装置
マイクロソーラーインバータ
モデル
ブランド
パッヶージ
数量
説明
ST
PowerFLAT-4
1000
Nチャンネル・ロジックレベル40V、最大2.2mΩ、167A STripFET F8 PowerFLAT 5x6パッケージのパワーMOSFET
ST
PowerFLAT-4
1000
Nチャンネル・ロジックレベル40V、最大2.2mΩ、167A STripFET F8 PowerFLAT 5x6パッケージのパワーMOSFET
ST
PowerFLAT-4
1000
車載用Nチャンネル・エンハンスメント・モード ロジック・レベル 40 V、0.75 mΩ最大、373 A STripFET F8 パワーMOSFET
ST
PowerFLAT-4
1000
Nチャンネル100V、5mΩ typ.、107A、PowerFLAT™ 5x6パッケージのSTripFET™ F7パワーMOSFET
ST
PowerFLAT-4
1000
Nチャンネル・エンハンスメントモード・ロジックレベル 40 V、0.8 mΩ最大、360 A、STripFET F8 パワーMOSFET
ST
PowerFLAT-4
1000
Nチャンネル 100 V、3.2 mΩ最大、158 A STripFET F8 PowerFLAT 5x6パッケージのパワーMOSFET
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FFSH2065B-F155炭化ケイ素(SiC)ショットキーダイオードは、シリコンと比較して優れたスイッチング性能と高い信頼性を実現する全く新しい技術を使用しています。FFSH2065BDN
オン・セミコンダクターのFFSH2065BDN車載用炭化ケイ素(SiC)ショットキー・ダイオードは、シリコン(Si)よりも炭化ケイ素の利点を活用するように設計されたAEC-Q101準拠デバイスです。連絡先電話:86-755-83294757
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