NTB7D3N15MCはオン・セミコンダクターのシールド・ゲートPowerTrench® MOSFETで、オン抵抗を最小限に抑え、優れたスイッチング性能を(クラス最高のフレキシブル・ダイオードにより)維持するNチャネルMOSFETです。 このMOSFETは、他のMOSFETよりもQrrが低くなっています。 シールドゲートPowerTrench MOSFETは、スイッチングノイズ/電磁干渉(EMI)を低減します。
特長
シールドゲートMOSFET技術
最大RDS(on) = 7.3 m (VGS = 10 V、ID = 62 A)
他のMOSFETメーカーより50%低いQrr
スイッチングノイズ/EMIの低減
100%UILテスト済み
これらのデバイスは、鉛フリー、ハロゲンフリー/臭素系難燃剤フリー、RoHS対応です。
製品属性
製品カテゴリー:MOSFET
技術:Si
実装スタイル: SMD/SMT
パッケージ/ケース:D2PAK-3(TO-263-3)
トランジスタ極性: Nチャンネル
チャンネル数: 1チャンネル
Vds-ドレイン・ソース降伏電圧:150 V
Id-ドレイン連続電流:101 A
Rds-ドレインオン抵抗:7.3 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧: - 20 V, + 20 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい値電圧:4.5 V
Qg - ゲート電荷量: 53 nC
最低動作温度: - 55
最大動作温度: + 175 C
Pd-電力損失:166 W
チャネルモード:エンハンスメント
代表的なアプリケーション
ATX/サーバー/テレコム用PSUの同期整流
モータードライブおよび無停電電源装置
マイクロソーラーインバータ
モデル
ブランド
パッヶージ
数量
説明
ST
PowerFLAT™ 5x6
15000
車載グレードNチャンネル80V、3.15mΩ(標準)、130A STripFET F7パワーMOSFET、PowerFLAT 5x6パッケージ
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