STL160N10F8 は、強化されたトレンチ・ゲート構造を持つ STripFET F8 技術で設計された 100V N チャネル・エンハンスメント・パワー MOSFET です。
内部容量とゲート電荷を低減し、より高速で効率的なスイッチングを実現する一方で、非常に低いオン抵抗という高度な性能仕様を保証します。
製品カテゴリー:MOSFET
テクノロジー:Si
実装スタイル: SMD/SMT
パッケージ/ケース:PowerFLAT-4
トランジスタ極性: Nチャンネル
チャネル数: 1チャネル
Vds-ドレイン-ソース降伏電圧: 100 V
Id-連続ドレイン電流:158 A
Rds-ドレインオン抵抗:3.2 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧: - 20 V, + 20 V
Vgs th-ゲート・ソース間しきい値電圧:4 V
Qg-ゲート電荷: 90 nC
最低動作温度: - 55
最大動作温度:+ 175
Pd-電力損失:167 W
チャネルモード: エンハンスメント
コンフィギュレーション:シングル
ダウンタイム: 19 ns
製品タイプ: MOSFET
立ち上がり時間: 17 ns
工場出荷時のパッケージ数量: 3000
サブカテゴリー: MOSFET
トランジスタタイプ: 1 Nチャンネル
標準オフ遅延時間: 60 ns
典型的なターンオン遅延時間:22 ns
用途
サーバーおよび通信用電源
産業用バッテリー管理システム(BMS)
電動工具
ドローン
モデル
ブランド
パッヶージ
数量
説明
ST
PowerFLAT-4
1000
Nチャンネル・ロジックレベル40V、最大2.2mΩ、167A STripFET F8 PowerFLAT 5x6パッケージのパワーMOSFET
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