NTH4L030N120M3S - 39mΩ、1200V炭化ケイ素(SiC)MOSFETトランジスタ、TO-247-4Lパッケージ
部品番号 NTH4L030N120M3S
パッケージ TO-247-4
タイプ 炭化ケイ素(SiC)MOSFETトランジスタ
説明 Nチャンネル 1200V 73A(Tc) 313W(Tc) スルーホール TO-247-4L
製品概要
NTH4L030N120M3S - 1200V M3Sプレーナ型SiC MOSFETの新ファミリは、高速スイッチングアプリケーション向けに最適化されています。プレーナ技術は、負のゲート電圧駆動とゲート上のターンオフスパイクで確実に動作します。このファミリは、18Vゲート駆動で最適な性能を発揮しますが、15Vゲート駆動でも良好に動作します。
製品の特長
ケルビン・ソース構成のTO-247-4Lパッケージ
優れたFOM [ = Rdson * Eoss ]を実現
超低ゲートチャージ (QG(tot) = 107 nC)
低キャパシタンスで高速スイッチング (Coss = 106 pF)
15V~18Vゲート駆動
新しいM3S技術:低EonおよびEoff損失で29 mohm RDS(ON)
100%アバランシェ・テスト済み
ハロゲン化物フリーおよびRoHS対応
代表的アプリケーション
- ソーラーインバータ
- 電気自動車充電ステーション
- UPS(無停電電源装置)
- エネルギー貯蔵システム
- SMPS(スイッチモード電源)
モデル
ブランド
パッヶージ
数量
説明
ST
PowerFLAT-4
1000
Nチャンネル・ロジックレベル40V、最大2.2mΩ、167A STripFET F8 PowerFLAT 5x6パッケージのパワーMOSFET
ST
PowerFLAT-4
1000
Nチャンネル・ロジックレベル40V、最大2.2mΩ、167A STripFET F8 PowerFLAT 5x6パッケージのパワーMOSFET
ST
PowerFLAT-4
1000
車載用Nチャンネル・エンハンスメント・モード ロジック・レベル 40 V、0.75 mΩ最大、373 A STripFET F8 パワーMOSFET
ST
PowerFLAT-4
1000
Nチャンネル100V、5mΩ typ.、107A、PowerFLAT™ 5x6パッケージのSTripFET™ F7パワーMOSFET
ST
PowerFLAT-4
1000
Nチャンネル・エンハンスメントモード・ロジックレベル 40 V、0.8 mΩ最大、360 A、STripFET F8 パワーMOSFET
ST
PowerFLAT-4
1000
Nチャンネル 100 V、3.2 mΩ最大、158 A STripFET F8 PowerFLAT 5x6パッケージのパワーMOSFET
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