NVTFS6H880NWFTAG 車載用パワーMOSFET は、コンパクトで効率的な設計に対応し、3x3mm のフラット・リード・パッケージで、高い放熱性能を備えています。 ウェッタブル・フランキング・オプションは、光学的検出を強化するために利用可能です。 AEC-Q101準拠のMOSFETで、車載アプリケーション向けの製造部品承認プロセス(PPAP)に対応しています。
製品属性
FETタイプ:Nチャンネル
技術:MOSFET(金属酸化物)
ドレイン-ソース間電圧(Vdss):80 V
25℃における連続ドレイン電流(Id):6.3A(Ta)、21A(Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10 V
異なるId、Vgsにおけるオン抵抗(最大): 32 mOhm @ 5A、10V
異なるIdにおけるVgs(th)(最大): 4V @ 20µA
ゲート電荷(Qg)(最大)、Vgs変化時: 6.9 nC @ 10 V
Vgs(最大):±20V
入力キャパシタンス(Ciss)(最大): 370 pF @ 40 V
許容損失(最大): 3.1W(Ta)、31W(Tc)
動作温度: -55°C ~ 175°C (TJ)
グレード:自動車グレード
認定: AEC-Q101
実装タイプ: 表面実装
サプライヤーデバイスパッケージ: 8-WDFN (3.3x3.3)
パッケージ/ケース: 8-PowerWDFN
モデル
ブランド
パッヶージ
数量
説明
ST
PowerFLAT-4
1000
Nチャンネル・ロジックレベル40V、最大2.2mΩ、167A STripFET F8 PowerFLAT 5x6パッケージのパワーMOSFET
ST
PowerFLAT-4
1000
Nチャンネル・ロジックレベル40V、最大2.2mΩ、167A STripFET F8 PowerFLAT 5x6パッケージのパワーMOSFET
ST
PowerFLAT-4
1000
車載用Nチャンネル・エンハンスメント・モード ロジック・レベル 40 V、0.75 mΩ最大、373 A STripFET F8 パワーMOSFET
ST
PowerFLAT-4
1000
Nチャンネル100V、5mΩ typ.、107A、PowerFLAT™ 5x6パッケージのSTripFET™ F7パワーMOSFET
ST
PowerFLAT-4
1000
Nチャンネル・エンハンスメントモード・ロジックレベル 40 V、0.8 mΩ最大、360 A、STripFET F8 パワーMOSFET
ST
PowerFLAT-4
1000
Nチャンネル 100 V、3.2 mΩ最大、158 A STripFET F8 PowerFLAT 5x6パッケージのパワーMOSFET
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