NTTFS5C460NLTAG 産業用パワーMOSFET は、3x3mm のフラットリードパッケージで、高い放熱性能を持ち、小型で効率的な設計が可能です。 ウェッタブル・フランキング・オプションは、光学的検出を強化するために利用可能です。 AEC-Q101準拠のMOSFETで、車載アプリケーション向けの製造部品承認プロセス(PPAP)に対応しています。
製品属性
製品カテゴリー:MOSFET
技術:Si
実装スタイル: SMD/SMT
パッケージ/ケース:WDFN-8
トランジスタ極性: Nチャンネル
チャンネル数: 1チャンネル
Vds-ドレイン-ソース降伏電圧: 40 V
Id-連続ドレイン電流:74 A
Rds-ドレインオン抵抗:4.8 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧: - 20 V, + 20 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい値電圧:1.2 V
Qg - ゲート電荷量: 11 nC
最低動作温度: - 55
最大動作温度:+ 175
Pd-消費電力:50 W
チャネルモード:エンハンスメント
シリーズ: NTTFS5C460NL
構成: Single
立ち下がり時間:4.4 ns
順方向トランスコンダクタンス - min: 72 S
立ち上がり時間: 97 ns
トランジスタタイプ: 1 Nチャンネル
標準ターンオフ遅延時間:17 ns
標準ターンオン遅延時間:9.2 ns
用途
逆バッテリー保護
電源スイッチ(HV側ドライバ、LV側ドライバ、Hブリッジなど)
スイッチング電源
モデル
ブランド
パッヶージ
数量
説明
ST
PowerFLAT-4
1000
Nチャンネル・ロジックレベル40V、最大2.2mΩ、167A STripFET F8 PowerFLAT 5x6パッケージのパワーMOSFET
ST
PowerFLAT-4
1000
Nチャンネル・ロジックレベル40V、最大2.2mΩ、167A STripFET F8 PowerFLAT 5x6パッケージのパワーMOSFET
ST
PowerFLAT-4
1000
車載用Nチャンネル・エンハンスメント・モード ロジック・レベル 40 V、0.75 mΩ最大、373 A STripFET F8 パワーMOSFET
ST
PowerFLAT-4
1000
Nチャンネル100V、5mΩ typ.、107A、PowerFLAT™ 5x6パッケージのSTripFET™ F7パワーMOSFET
ST
PowerFLAT-4
1000
Nチャンネル・エンハンスメントモード・ロジックレベル 40 V、0.8 mΩ最大、360 A、STripFET F8 パワーMOSFET
ST
PowerFLAT-4
1000
Nチャンネル 100 V、3.2 mΩ最大、158 A STripFET F8 PowerFLAT 5x6パッケージのパワーMOSFET
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