商品名称:IAUCN04S7N030
ブランド:INFINEON
年:24+
パッヶージ:PG-TDSON-8
納期:真新しいオリジナル
在庫数量:1000 件
IAUCN04S7N030 7パワーMOSFETは、革新的な鉛フリー、堅牢な40VパワーパッケージのパワーMOSFET技術を特徴としています。 低オン抵抗で高電力密度と高効率を提供します。 同時に、このデバイスはスイッチング損失を低減し、SOA耐久性と高アバランシェ電流能力を向上させ、車載アプリケーションの効率的なシステム設計に貢献します。
製品属性
FETタイプ:Nチャンネル
技術:MOSFET(金属酸化膜)
ドレイン-ソース間電圧(Vdss):40 V
25°Cでの連続ドレイン電流(Id): 100 A
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン): 10 V
動作温度: -55°C ~ 100°C
グレード:自動車グレード
認定: AEC-Q101
実装タイプ: 表面実装
サプライヤーデバイスパッケージ: PG-TDSON-8-33
パッケージ/ケース: 8-PowerTDFN
アプリケーション
● 電動パワーステアリング・システム
● パワーディスコネクトスイッチ
● ゾーンコントロールユニットおよび電子ヒューズボックス
● DC-DC
● USB充電およびブレーキ
● 自動車用
● 各種BLDCドライブ
モデル
ブランド
パッヶージ
数量
説明
ST
PowerFLAT™ 5x6
15000
車載グレードNチャンネル80V、3.15mΩ(標準)、130A STripFET F7パワーMOSFET、PowerFLAT 5x6パッケージ
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TC1791は,TriCore CPU,プログラムメモリとデータメモリ,バス,バスアービトレーション,割り込みコントローラ,周辺制御プロセッサとDMAコントローラ,複数のオンチップ周辺機器を備えた高性能マイクロコントローラです。TC1791は,価格/性能,リアルタイム応答性,計…2EDF5215G
2 edf5215gは一項が急速に、頼もしいの高圧的に隔離ゲートドライブやモーゲージの横、横に高性能の応用をデザイン。正確で安定したタイミング機能と高電流出力能力を備えており、特にパワーシステムの切り替えに適しています。2 edf5215g高出力の低い侧とにmosfet兼用、…2EDF5215F
2 edf5215f 1項は急速に、頼もしいの双の通路、高に隔離ゲートのドライブ、横精密や安定の時限を持つ高出力電流。低側と高側のMOSFET駆働のために設計されており、部品間のオフセットが少なく、信号伝播が速いため、特に切り替えの速いパワーシステムに適しています。…2EDL05I06PF
1項2 edl05i06pfは600 vの半ブリッジゲートドライブic、ls−soi技術を採用し、統制のために,igbtとmosfetなどの出力デバイスデザイン。主な機能は以下の通りです。出力には別々の制御回路があります低電圧フィルタ検出です全ての入力はダイオードでクランプされますオフ…2ED2106S06F
2ED2106S06Fは650 Vハイサイドとローサイドの高速パワーMOSFETとIGBTゲートドライブです。dso-8パッケージを採用し、典型的なソース電流0.29Aとシンク電流0.7Aを備えています。インフィニオンのSOI技術に基づき、VSピンの負の過渡電圧に対する優れた耐久性と耐干渉性を実…1EDI40I12AF
1 edi40i12afは一种の1200 v 7.5 a、単隔離式のゲートドライブ、通路に属するeicedriver™スリムタイプシリーズ。このデバイスには以下のような特徴があります。EiceDRIVER™コンパクト・シングル・チャネル・アイソレーション・ゲートドライブシリーズ600 V、650 V、1…連絡先電話:86-755-83294757
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