2ED2106S06Fは650 Vハイサイドとローサイドの高速パワーMOSFETとIGBTゲートドライブです。dso-8パッケージを採用し、典型的なソース電流0.29Aとシンク電流0.7Aを備えています。
インフィニオンのSOI技術に基づき、VSピンの負の過渡電圧に対する優れた耐久性と耐干渉性を実現しています。2ED2106S06Fは、寄生サイリスタ構造を採用していませんので、どのような温度・電圧条件下でも寄生ラッチ効果はありません。
2ED2106S06Fの特徴は以下の通りです。
動作電圧(VSノード)は+ 650 Vです
VSマイナス過渡スクランブル100 Vです
超高速・低抵抗ブートストラップダイオードを一体化し,部品リストのコストを削減しました
ブートストラッピング用のフローティング・チャネルです
最大電源電圧は25 Vです
両方のチャンネルは独立した低電圧ロック(UVLO)を有しています。
伝播遅延時間:200 nsです
HIN, LIN論理入力です
VSピンの論理操作は—11 Vです
入力負電圧許容差:—5 Vです
フローティングチャンネルは、ハイサイド構成を採用したNチャンネルMOSFET、SiC MOSFETまたはIGBTを駆動するために使用することができます。
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