商品名称:GCMX080A120B2H1P
ブランド:SemiQ
年:24+
パッヶージ:Module
納期:新品のオリジナルです
在庫数量:1000 件
セミクは、新しいソーラーインバータと電気自動車充電用フルブリッジ仕様の高効率コンパクトMOSFETモジュールを発売しており、GCMX080A120B2H1P 1200V、27A SiCフルブリッジもその一員です。これらの高性能1200V SiCモジュールは1400V以上のテストを経ており、高週波と高出力環境での確実な動作を目指しています。
スペックです
炭化ケイ素(SiC)です
スペック:4 Nトレンチ(フルブリッジ)です。
FET:炭化ケイ素(SiC)です
ドレインソース電圧(Vdss): 1200Vです。
25°C時電流-連続ドレイン(Id): 27A (Tc)です
異なるId、Vgs時オン抵抗(最大値):100ミリオ@ 20A, 20Vです。
Idが異なる場合Vgs(th)(最大値):4V @ 10mAです。
異なるVgs時ゲート電荷(Qg)(最大値):56nC @ 20Vです。
異なるVds時入力容量(Ciss)(最大値):1362pF @ 800Vです。
出力-最大値:119W (Tc)です。
動作温度:-40℃~ 175℃(TJ)です。
レベル:-です。
資質です:-
取り付けタイプ:スタンド取り付けです
パッケージ/ハウジング:モジュールです
モデル
ブランド
パッヶージ
数量
説明
Microchip
SOT-227
1000
SiC MOSFETモジュールNチャンネル1200 V 55A (t) 245W (t) sot-227 (ISOTOP®)です。
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SemiQは、炭化ケイ素(SiC)パワー半導体の設計、開発、製造、および150mm SiCエピタキシャルウェーハの製造を行っています。SiCダイオードおよびMOSFETは、ディスクリートおよびモジュール、ベアチップおよびウェーハ形態で提供されています。SemiQはまた、サブシステム…
GCMX020B120S1-E1
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SemiQはハーフブリッジの高性能QSiCパワーモジュールを発売しました。新型1200V SiC MOSFETモジュールは、太陽光インバータ、電池充電器、エネルギー貯蔵、高電圧dc-dcコンバータのアプリケーションにおいて、信頼性と効率の高い動作を提供します。デバイス:GCMX010A120B…GCMX005A120B3B1P
GCMX005A120B3B1Pは、ハーフブリッジで実装した1200V、383Aの高性能QSiC™パワーモジュールです。SemiQ新型1200V SiC MOSFETモジュールは、太陽光インバータ、電池充電器、エネルギー貯蔵、高電圧dc-dcコンバータのアプリケーションにおいて、信頼性が高く、効率的な動作…GCMX020A120B2B1P
GCMX020A120B2B1Pは、Nチャネルを2つ搭載した1200V・102Aハーフブリッジの高性能SiCパワーモジュールです。このSiC MOSFETモジュールは、太陽光インバータ、電池充電器、エネルギー貯蔵、高電圧dc-dcコンバータのアプリケーションにおいて、信頼性が高く、効率的な動作を…GCMX010A120B2B1P
SemiQはハーフブリッジの高性能QSiCパワーモジュールを発売しました。GCMX010A120B2B1P 1200V、214A SiC MOSFETハーフブリッジがあります。これらの新しい1200V SiC MOSFETモジュールは、太陽光インバータ、電池充電器、エネルギー貯蔵、高電圧dc-dcコンバータのアプリケ…連絡先電話:86-755-83294757
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