GCMX005A120B3B1P - SiC MOSFETモジュール - 深圳市明佳達電子有限会社

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画像はご参考までに、製品仕様を参照してください

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商品型番:GCMX005A120B3B1P

商品名称:GCMX005A120B3B1P

ブランド:SemiQ

年:24+

パッヶージ:Module

納期:新品のオリジナルです

在庫数量:1000 件

数量:

引合

オンライン引合

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連絡先電話:

会社名:

技術パラメータ

メーカー

SemiQ

モデル

GCMX005A120B3B1P

パッヶージ

Module

説明

ハーフブリッジMOSFET -アレイ1200V 383Aスタンド設置です

製品の説明

GCMX005A120B3B1Pは、ハーフブリッジで実装した1200V、383Aの高性能QSiC™パワーモジュールです。SemiQ新型1200V SiC MOSFETモジュールは、太陽光インバータ、電池充電器、エネルギー貯蔵、高電圧dc-dcコンバータのアプリケーションにおいて、信頼性が高く、効率的な動作を提供します。

製品の属性。

炭化ケイ素(SiC)です

仕様:4 Nトレンチ(ハーフブリッジ)です。

FET:炭化ケイ素(SiC)です

ドレインソース電圧(Vdss): 1200Vです。

25°C時電流-連続ドレイン(Id): 383A (Tc)です

異なるId、Vgs時オン抵抗(最大値):7mOhm @ 200A, 20V

Idが異なる場合Vgs(th)(最大値):4V @ 80mAです。

異なるVgs時ゲート電荷(Qg)(最大値):927nC @ 20Vです。

異なるVds時入力容量(Ciss)(最大値):23500pF @ 800Vです。

出力-最大値:1.154kW (Tc)です

動作温度:-40℃~ 175℃(TJ)です。

レベル:-です。

資質です:-

取り付けタイプ:スタンド取り付けです

パッケージ/ハウジング:モジュールです

よくある質問

1.プラットフォームで見た在庫、価格は正確ですか?

答え:すべてのオンライン商品はオンラインで注文することができますが、現物の在庫の流動性が大きいことを考慮して、現在はまだ100%の正確さを実現できません。異常がある場合は、オンラインで弊社に連絡し、対応するソリューションを提供できます。
2.会社の商品はすべて本物ですか?

答:私达の自営商品はすべて协力の国内外の原工场あるいは授権代理店から采取して、出所はすべて遡ることができて、原装正品を确保します。
3.元の工場や代理店の資質証明書を提供できますか?

答え:現在、私たちの自営代理店 TI，ST，ADI，NXP，LATTICE，CYPRESS，INFINEON，XILINX などの一線ブランドが含まれており、その他のルートはすべて元の工場と代理ルートである。必要に応じて、具体的なブランドモデルについて確認することができます。
4.会社のウェブサイトで引き合いをしてもいいですか?

答:ウェブサイトから、または電話やメールでお問い合わせいただけます。
5.注文したらいつ出荷できますか?どのくらいで着きますか。

答え:ほとんどの商品情報には納期が表示されています。納期に基づいて商品の出荷時間を推定することができます。具体的な入荷時間は、商品の具体的な倉庫、選択した物流方式によって異なります。
6.会社は領収書を発行できますか?

答:個人ユーザーのために普通の領収書を発行することができて、企業ユーザーのために付加価値税専用の領収書を発行することができます。