商品名称:GCMX020B120S1-E1
ブランド:SemiQ
年:24+
パッヶージ:Module
納期:新品のオリジナルです
在庫数量:1000 件
SemiQは新しいqic1200v sot-227 SiCモジュールを発表し、エネルギー規格を向上させます。GCMX020B120S1-E1 1200V、113A超高効率モジュールは、電気自働車、医療電源、太陽光大出力アプリケーションの革新的な設計をサポートします。
製品の属性。
FETタイプ:Nチャネルです
技術:SiC(炭化ケイ素接合トランジスタ)です
ドレインソース電圧(Vdss): 1200 Vです
25°C時電流-連続ドレイン(Id): 113A (Tc)です
駆動電圧(最大Rds On、最小Rds On): 20Vです。
異なるId、Vgs時オン抵抗(最大値):28ミリオ@ 50A, 20Vです。
Idが異なる場合Vgs(th)(最大値):4V @ 20mAです。
異なるVgs時ゲート電荷(Qg)(最大値):216 nC @ 20 Vです。
Vgs(最大値):+25V, -10Vです
異なるVds時入力容量(Ciss)(最大値):5349 pF @ 1000 Vです。
FET機能:-です
消費電力分散(最大値):395W (Tc)です。
動作温度:-55℃~ 175℃(TJ)です。
レベル:-です。
資質です:-
取り付けタイプ:スタンド取り付けです
サプライヤーデバイスパッケージ:sot-227です。
パッケージ/ケース:sot-227-4, miniBLOCです
モデル
ブランド
パッヶージ
数量
説明
Microchip
SOT-227
1000
SiC MOSFETモジュールNチャンネル1200 V 55A (t) 245W (t) sot-227 (ISOTOP®)です。
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SemiQは、炭化ケイ素(SiC)パワー半導体の設計、開発、製造、および150mm SiCエピタキシャルウェーハの製造を行っています。SiCダイオードおよびMOSFETは、ディスクリートおよびモジュール、ベアチップおよびウェーハ形態で提供されています。SemiQはまた、サブシステム…
GCMX005A120S7B1
GCMX005A120S7B1 1200V SiC MOSFETハーフブリッジモジュールは、低スイッチング損失、低シェル熱抵抗、非常に堅牢で、簡単にインストールすることができます。このモジュールは175Cの接合温度で動作し、RoHS規格に準拠しています。典型的な用途としては、太陽光インバータ…GCMX010A120B3B1P
SemiQはハーフブリッジの高性能QSiCパワーモジュールを発売しました。新型1200V SiC MOSFETモジュールは、太陽光インバータ、電池充電器、エネルギー貯蔵、高電圧dc-dcコンバータのアプリケーションにおいて、信頼性と効率の高い動作を提供します。デバイス:GCMX010A120B…GCMX005A120B3B1P
GCMX005A120B3B1Pは、ハーフブリッジで実装した1200V、383Aの高性能QSiC™パワーモジュールです。SemiQ新型1200V SiC MOSFETモジュールは、太陽光インバータ、電池充電器、エネルギー貯蔵、高電圧dc-dcコンバータのアプリケーションにおいて、信頼性が高く、効率的な動作…GCMX020A120B2B1P
GCMX020A120B2B1Pは、Nチャネルを2つ搭載した1200V・102Aハーフブリッジの高性能SiCパワーモジュールです。このSiC MOSFETモジュールは、太陽光インバータ、電池充電器、エネルギー貯蔵、高電圧dc-dcコンバータのアプリケーションにおいて、信頼性が高く、効率的な動作を…GCMX010A120B2B1P
SemiQはハーフブリッジの高性能QSiCパワーモジュールを発売しました。GCMX010A120B2B1P 1200V、214A SiC MOSFETハーフブリッジがあります。これらの新しい1200V SiC MOSFETモジュールは、太陽光インバータ、電池充電器、エネルギー貯蔵、高電圧dc-dcコンバータのアプリケ…GCMX080A120B2H1P
セミクは、新しいソーラーインバータと電気自動車充電用フルブリッジ仕様の高効率コンパクトMOSFETモジュールを発売しており、GCMX080A120B2H1P 1200V、27A SiCフルブリッジもその一員です。これらの高性能1200V SiCモジュールは1400V以上のテストを経ており、高週波と高…連絡先電話:86-755-83294757
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