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製品の説明:集積ドライブ、保護とゼロの電圧を持つ機能の検出650 v 30 mオメガgan fet
パッヶージ:VQFN-52製品の説明:集積ドライブ、保護とゼロの電圧を持つ機能の検出600 v 30 mオメガgan fet
パッヶージ:VQFN-54製品の説明:100 v 2.6 mオメガ半橋窒化ガリウム(gan)出力級
パッヶージ:18-VQFN-FCRLF製品の説明:集積ドライブを持つ100 v 4.4 mオメガgan fet
パッヶージ:15-VQFN-FCRLF製品の説明:窒化ガリウム(GaN) FET表面実装型Nチャネル650 V 58.5A (Tc) 250W (Tc) CCPAK1212i
パッヶージ:CCPAK1212i製品の説明:窒化ガリウム(GaN) FET表面実装型Nチャネル650 V 60A (Tc) 300W (Tc) CCPAK1212
パッヶージ:CCPAK1212製品の説明:窒化ガリウム(GaN) FET表面実装型Nチャネル40 V 20A (Ta) 13W (Ta) 22-WLCSP (2.1x2.1)
パッヶージ:WLCSP-22製品の説明:窒化ガリウム(GaN) FET表面実装型Nチャネル150 V 100A (Ta) 65W (Ta) VQFN
パッヶージ:VQFN-7製品の説明:650V 170mΩ GaN FET、ドライバ、保護、電流検出機能内蔵
パッヶージ:VQFN-38製品の説明:600V 30mΩ GaN FET、ドライバ内蔵、保護機能、ゼロ電圧検出機能付き
パッヶージ:54-VQFN製品の説明:100V 4.4mΩハーフブリッジGaN FET、ドライバおよび保護機能内蔵
パッヶージ:WQFN-16製品の説明:2496~2690MHz、平均85W、48V Airfast® RFパワーGaNトランジスタ
パッヶージ:OM−780−4S4S製品の説明:2110-2200MHz、平均85W、48V Airfast® RFパワーGaNトランジスタ
パッヶージ:OM- 780- 4S4S製品の説明:貫通孔Nチャンネル650 V 34.5A (Ta) 143W (Ta) to-247−3です
パッヶージ:TO-247-3製品の説明:貫通孔Nチャンネル650 V 47.2A 187W to-247-3です
パッヶージ:TO-247-3製品の説明:650 V、140 mOhm窒化ガリウム(GaN)FET、DFN 8 mm x 8 mmパッケージ
パッヶージ:DFN8080-8連絡先電話:86-755-83294757
企業QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
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