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AIプロセッサー・チップ

AI アクセラレータ

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操作

LMG3526R030RQSR
TI

製品の説明:集積ドライブ、保護とゼロの電圧を持つ機能の検出650 v 30 mオメガgan fet

パッヶージ:VQFN-52
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
LMG3427R030RQZR
TI

製品の説明:集積ドライブ、保護とゼロの電圧を持つ機能の検出600 v 30 mオメガgan fet

パッヶージ:VQFN-54
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
LMG2100R026VBNR
TI

製品の説明:100 v 2.6 mオメガ半橋窒化ガリウム(gan)出力級

パッヶージ:18-VQFN-FCRLF
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
LMG3100R044VBER
TI

製品の説明:集積ドライブを持つ100 v 4.4 mオメガgan fet

パッヶージ:15-VQFN-FCRLF
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
GAN039-650NTBZ

製品の説明:窒化ガリウム(GaN) FET表面実装型Nチャネル650 V 58.5A (Tc) 250W (Tc) CCPAK1212i

パッヶージ:CCPAK1212i
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
GAN039-650NBBHP

製品の説明:窒化ガリウム(GaN) FET表面実装型Nチャネル650 V 60A (Tc) 300W (Tc) CCPAK1212

パッヶージ:CCPAK1212
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
GANB4R8-040CBAZ

製品の説明:窒化ガリウム(GaN) FET表面実装型Nチャネル40 V 20A (Ta) 13W (Ta) 22-WLCSP (2.1x2.1)

パッヶージ:WLCSP-22
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
GANE3R9-150QBAZ

製品の説明:窒化ガリウム(GaN) FET表面実装型Nチャネル150 V 100A (Ta) 65W (Ta) VQFN

パッヶージ:VQFN-7
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
LMG3624REQR
TI

製品の説明:650V 170mΩ GaN FET、ドライバ、保護、電流検出機能内蔵

パッヶージ:VQFN-38
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
LMG3426R030RQZR
TI

製品の説明:600V 30mΩ GaN FET、ドライバ内蔵、保護機能、ゼロ電圧検出機能付き

パッヶージ:54-VQFN
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
LMG2100R044RARR
TI

製品の説明:100V 4.4mΩハーフブリッジGaN FET、ドライバおよび保護機能内蔵

パッヶージ:WQFN-16
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
A5G26H605W19NR3
NXP

製品の説明:2496~2690MHz、平均85W、48V Airfast® RFパワーGaNトランジスタ

パッヶージ:OM−780−4S4S
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
A5G21H605W19NR3
NXP

製品の説明:2110-2200MHz、平均85W、48V Airfast® RFパワーGaNトランジスタ

パッヶージ:OM- 780- 4S4S
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
GAN063-650WSAQ

製品の説明:貫通孔Nチャンネル650 V 34.5A (Ta) 143W (Ta) to-247−3です

パッヶージ:TO-247-3
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
GAN041-650WSBQ

製品の説明:貫通孔Nチャンネル650 V 47.2A 187W to-247-3です

パッヶージ:TO-247-3
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
GAN140-650EBEZ

製品の説明:650 V、140 mOhm窒化ガリウム(GaN)FET、DFN 8 mm x 8 mmパッケージ

パッヶージ:DFN8080-8
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
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