商品名称:ハーフブリッジGaN FET
ブランド:TI
年:24+
パッヶージ:WQFN-16
納期:新品のオリジナルです
在庫数量:2000 件
LMG2100R044RARRデバイスは、ゲート・ドライバとエンハンスメント・モードの窒化ガリウム(GaN)FETを内蔵した、連続90V、パルス100V、35Aのハーフブリッジ・パワー・ステージです。このデバイスは、ハーフブリッジ構成で1つの高周波90V GaN FETドライバによって駆動される2つの100V GaN FETで構成されています。
特徴
4.4mΩハーフブリッジGaN FETとドライバを集積
連続90V、パルス100Vの電圧定格
容易なPCBレイアウトのために最適化されたパッケージ
低リンギングで高スルーレートのスイッチング
5V外部バイアス電源
3.3Vおよび5V入力ロジックレベルをサポート
最大10MHzのスイッチングが可能なゲートドライバ
優れた伝搬遅延(33ns標準)と整合(2ns標準)
内部ブートストラップ電源電圧クランピングによりGaN FETのオーバードライブを防止
ロックアウト保護用電源レール不足電圧
低消費電力
上面冷却用露出トップQFNパッケージ
底面冷却用大型GNDパッド
用途
降圧、昇圧、昇降圧コンバータ
LLCコンバータ
ソーラーインバータ
テレコムおよびサーバー電源
モーター・ドライブ
電動工具
D級オーディオ・アンプ
モデル
ブランド
パッヶージ
数量
説明
Nexperia
CCPAK1212i
3000
窒化ガリウム(GaN) FET表面実装型Nチャネル650 V 58.5A (Tc) 250W (Tc) CCPAK1212i
Nexperia
WLCSP-22
3000
窒化ガリウム(GaN) FET表面実装型Nチャネル40 V 20A (Ta) 13W (Ta) 22-WLCSP (2.1x2.1)
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DP83TC811SWRNDRQ1
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