ドライバーと保護機能を内蔵したLMG3426R030RQZR GaN FETは、スイッチモード電力コンバータをターゲットとしており、設計者は新しいレベルの電力密度と効率を達成することができます。
特長
ハード・スイッチング・トポロジー向けのJEDEC JEP180に適合
ゲートドライバ内蔵600V GaN-on-Si FET
高精度ゲートバイアス電圧内蔵
200V/ns FETホールドオフ
2.2MHzスイッチング周波数
20V/ns~150V/nsのスルーレートにより、スイッチング性能の最適化とEMI緩和を実現
7.5V~18V電源で動作
堅牢な保護機能
100ns未満の応答で、サイクルごとの過電流およびラッチされた短絡保護
ハードスイッチング中の720Vサージに耐える
内部過熱およびUVLOモニタリングからの自己保護
高度な電源管理
デジタル温度PWM出力
LMG3426R030は、ソフトスイッチング・コンバータを容易にするゼロ電圧検出(ZVD)機能を備えています。
用途
スイッチモード・パワー・コンバータ
商社ネットワークおよびサーバーPSU
商用電気通信整流器
ソーラー・インバータおよび産業用モーター・ドライブ
無停電電源装置
モデル
ブランド
パッヶージ
数量
説明
Nexperia
CCPAK1212i
3000
窒化ガリウム(GaN) FET表面実装型Nチャネル650 V 58.5A (Tc) 250W (Tc) CCPAK1212i
Nexperia
WLCSP-22
3000
窒化ガリウム(GaN) FET表面実装型Nチャネル40 V 20A (Ta) 13W (Ta) 22-WLCSP (2.1x2.1)
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