LMG2100R026VBNRデバイスは、93V連続、100Vパルス、53Aハーフブリッジのパワーステージで、ゲートドライブと強化された窒化ガリウム(GaN) FETが組み込まれています。2つのGaN FETで構成され、ハーフブリッジ構成の高週波GaN FETドライバーで駆動します。
特性です:
ハーフブリッジGaN FETとドライブを統合しました
93V連続,100Vパルス定格電圧です
パッケージが最適化され,PCBレイアウトがしやすくなりました
高スイッチング低リンギングです
5V外部バイアス電源です
3.3Vと5V対応ロジックレベルです
ゲートドライバーは10MHzまでスイッチング可能です
優れた伝搬遅延(典型値33ns)と整合性(典型値2ns)です。
電源電圧クランプを内部ブートストラップしGaN FETオーバードライブを防止します。
ロックガード用の電源レールがダウンしています
低消費電力です
上部を露出QFNパッケージで冷却します
底冷却用の大型GNDパッドです
応用です:
・降圧、昇圧、降圧-昇圧コンバータです
・LLCコンバータです
ソーラー・インバータです
電気通信とサーバーの電源です
・モーター駆動です
・電動工具です
・クラスDオーディオアンプです
モデル
ブランド
パッヶージ
数量
説明
Nexperia
CCPAK1212i
3000
窒化ガリウム(GaN) FET表面実装型Nチャネル650 V 58.5A (Tc) 250W (Tc) CCPAK1212i
Nexperia
WLCSP-22
3000
窒化ガリウム(GaN) FET表面実装型Nチャネル40 V 20A (Ta) 13W (Ta) 22-WLCSP (2.1x2.1)
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