商品名称:A5G21H605W19NR3
データマニュアル:A5G21H605W19NR3.pdf
ブランド:NXP
年:23+
パッヶージ:OM- 780- 4S4S
納期:真新しいオリジナル
在庫数量:1000 件
A5G21H605W19NR385W非対称ドハティGaN RFパワートランジスタは、2110~2200MHz周波数で動作し、広い瞬時帯域幅を必要とするモバイル基地局アプリケーション向けに設計されています。 この部品の特性パラメータと性能は、2110~2200MHz帯で動作するアプリケーションに適しています。 この範囲外のアプリケーションに使用した場合、性能は保証できません。
特長
● 優れた広帯域性能をサポートする高い終端インピーダンス
● 高性能内部パッケージ・ドハティ
● 次世代信号による線形化誤差ベクトルの振幅拡張
● 非常に高い出力VSWRと広帯域動作条件に耐える
● プラスチック・パッケージ
● RoHS対応
モデル
ブランド
パッヶージ
数量
説明
Nexperia
FCLGA-3
1000
150V、7mOhm窒化ガリウム(GaN)FET、2.2mm x 3.2mm x 0.774mmランドグリッドアレイ(LGA)パッケージ
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