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AIプロセッサー・チップ

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NXH35C120L2C2SG
ON

製品の説明:IGBTモジュール三相相器、ストッパー付き1200 V 35 A 20 mW貫通孔26-DIP

パッヶージ:26-DIP
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NXH35C120L2C2ESG
ON

製品の説明:IGBTモジュール三相相器、ストッパー付き1200 V 35 A 20 mW貫通孔26-DIP

パッヶージ:26-DIP
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NXH50C120L2C2ESG
ON

製品の説明:IGBTモジュール三相相器、ストッパー付き1200 V 50 A 20 mW貫通孔26-DIP

パッヶージ:26-DIP
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NXH50C120L2C2ES1G
ON

製品の説明:IGBTモジュール三相相器、ストッパー付き1200 V 50 A 20 mW貫通孔26-DIP

パッヶージ:26-DIP
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NXH25C120L2C2SG
ON

製品の説明:IGBTモジュール三相相器、ストッパー付き1200 V 25 A 20 mW貫通孔26-DIP

パッヶージ:26-DIP
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NXH35C120L2C2S1G
ON

製品の説明:IGBTモジュール三相相器、ストッパー付き1200 V 35 A 20 mW貫通孔26-DIP

パッヶージ:26-DIP
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NVMTS0D7N04CTXG
ON

製品の説明:パワーMOSFET、シングルNチャンネル、40V、0.67mOhms、420A

パッヶージ:DFNW-8
10起
2540
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NTHL040N120SC1
ON

製品の説明:炭化ケイ素(SiC)MOSFET - EliteSiC、40 mohm、1200 V、M1、TO-247-3L

パッヶージ:TO-247-3
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NTTFD4D0N04HLTWG
ON

製品の説明:MOSFET - アレイ40V 15A(Ta)、60A(Tc) 1.7W(Ta)、26W(Tc) 表面実装 12-WQFN(3.3×3.3)

パッヶージ:WQFN-12
10起
1100
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NTBG080N120SC1
ON

製品の説明:炭化ケイ素(SiC)製MOSFET - EliteSiC、40 mohm、1200 V、M1、D2PAK-7L

パッヶージ:D2PAK-7
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NVH4L022N120M3S
ON

製品の説明:炭化ケイ素(SiC)製MOSFET - EliteSiC、22 mohm、1200 V、M3S、TO247-4L

パッヶージ:TO-247-4
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NTBLS1D1N08H
ON

製品の説明:MOSFET-パワー、シングル、Nチャンネル、TOLL、80 V、1.05 mΩ、351 A

パッヶージ:8-HPSOF
10起
3200
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NVBLS001N06C
ON

製品の説明:MOSFET-パワー、シングル、Nチャンネル、TOLL、60 V、0.9 mΩ、422 A

パッヶージ:8-HPSOF
10起
1200
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NTHL080N120SC1A
ON

製品の説明:炭化ケイ素(SiC)MOSFET - EliteSiC、80 mohm、1200 V、M1、TO-247-3L

パッヶージ:TO-247-3
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NTH4L020N090SC1
ON

製品の説明:炭化ケイ素(SiC)MOSFET - EliteSiC、20 mohm、900 V、M2、TO-247-4L

パッヶージ:TO-247-4
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NTMFD5C470NLT1G
ON

製品の説明:MOSFET -アレイ40V 11A (Ta), 36A (t) 3W (Ta), 24W (t)表面装着型8-DFN (5x6)

パッヶージ:8-DFN
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
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