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製品の説明:IGBTモジュール三相相器、ストッパー付き1200 V 35 A 20 mW貫通孔26-DIP
パッヶージ:26-DIP製品の説明:IGBTモジュール三相相器、ストッパー付き1200 V 35 A 20 mW貫通孔26-DIP
パッヶージ:26-DIP製品の説明:IGBTモジュール三相相器、ストッパー付き1200 V 50 A 20 mW貫通孔26-DIP
パッヶージ:26-DIP製品の説明:IGBTモジュール三相相器、ストッパー付き1200 V 50 A 20 mW貫通孔26-DIP
パッヶージ:26-DIP製品の説明:IGBTモジュール三相相器、ストッパー付き1200 V 25 A 20 mW貫通孔26-DIP
パッヶージ:26-DIP製品の説明:IGBTモジュール三相相器、ストッパー付き1200 V 35 A 20 mW貫通孔26-DIP
パッヶージ:26-DIP製品の説明:パワーMOSFET、シングルNチャンネル、40V、0.67mOhms、420A
パッヶージ:DFNW-8製品の説明:炭化ケイ素(SiC)MOSFET - EliteSiC、40 mohm、1200 V、M1、TO-247-3L
パッヶージ:TO-247-3製品の説明:MOSFET - アレイ40V 15A(Ta)、60A(Tc) 1.7W(Ta)、26W(Tc) 表面実装 12-WQFN(3.3×3.3)
パッヶージ:WQFN-12製品の説明:炭化ケイ素(SiC)製MOSFET - EliteSiC、40 mohm、1200 V、M1、D2PAK-7L
パッヶージ:D2PAK-7製品の説明:炭化ケイ素(SiC)製MOSFET - EliteSiC、22 mohm、1200 V、M3S、TO247-4L
パッヶージ:TO-247-4製品の説明:MOSFET-パワー、シングル、Nチャンネル、TOLL、80 V、1.05 mΩ、351 A
パッヶージ:8-HPSOF製品の説明:MOSFET-パワー、シングル、Nチャンネル、TOLL、60 V、0.9 mΩ、422 A
パッヶージ:8-HPSOF製品の説明:炭化ケイ素(SiC)MOSFET - EliteSiC、80 mohm、1200 V、M1、TO-247-3L
パッヶージ:TO-247-3製品の説明:炭化ケイ素(SiC)MOSFET - EliteSiC、20 mohm、900 V、M2、TO-247-4L
パッヶージ:TO-247-4製品の説明:MOSFET -アレイ40V 11A (Ta), 36A (t) 3W (Ta), 24W (t)表面装着型8-DFN (5x6)
パッヶージ:8-DFN連絡先電話:86-755-83294757
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