商品名称:NVBG020N090SC1
データマニュアル:NVBG020N090SC1.pdf
ブランド:ON
年:23+
パッヶージ:D2PAK-7
納期:新品のオリジナルです
在庫数量:3000 件
NVBG020N090SC1 NトレンチドMOSFETは、新技術により優れたスイッチング性能と高い信頼性を備えた炭化シリコン(SiC) MOSFETです。このデバイスは、低オン抵抗、コンパクトチップを採用し、低容量、低ゲート電荷を確保しています。典型的な用途としては、DC/DCコンバータ(EV/HEV用)や車載充電器などがあります。
製品仕様です:
FETタイプ:Nチャネルです
技術:SiCFET(炭化ケイ素)です
ドレインソース電圧(Vdss): 900 Vです
25°C時電流-連続ドレイン(Id): 9.8A (Ta), 112A (Tc)
駆動電圧(最大Rds On、最小Rds On): 15Vです。
異なるId、Vgs時オン抵抗(最大値):28ミリオ@ 60A, 15Vです。
Idが異なる場合Vgs(th)(最大値):4.3V @ 20mAです。
異なるVgs時ゲート電荷(Qg)(最大値):200 nC @ 15 Vです
Vgs(最大値):+19V, -10Vです
異なるVds時入力容量(Ciss)(最大値):4415 pF @ 450 Vです。
FET機能:-です
消費電力分散(最大値):3.7W (Ta), 477W (Tc)です。
動作温度:-55℃~ 175℃(TJ)です。
装着タイプ:表面装着タイプです。
サプライヤーデバイスパッケージ:d2pak-7です。
パッケージ/ケース:to-263-8、D²Pak(7リード+パッチ)、to-263caです。
基本品番:NVBG020です。
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NFAP2060R4TT
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