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AIプロセッサー・チップ

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BSM300C12P3E201

製品の説明:シャーシマウントNチャンネル1200V 300A (Tc) 1360W (Tc) モジュール

パッヶージ:Module
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
BSM600D12P3G001

製品の説明:MOSFET - アレイ 1200V (1.2kV) 600A (Tc) 2450W (Tc) シャーシマウントモジュール

パッヶージ:Module
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
BSM400D12P3G002

製品の説明:MOSFET - アレイ 1200V (1.2kV) 400A (Tc) 1570W (Tc) シャーシマウントモジュール

パッヶージ:Module
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
RGT80TS65DGC13

製品の説明:IGBT溝型フィールドオフ650 V 70 A 234 Wスルーto-247g

パッヶージ:TO-247-3
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
RGT00TS65DGC13

製品の説明:IGBT溝型フィールド切650 V 85 A 277 W通孔to-247g

パッヶージ:TO-247-3
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
RGTV80TS65GC11

製品の説明:IGBT溝型フィールド650 V 78 A 234 Wスルーホールto-247nまでです。

パッヶージ:TO-247-3
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
RGTV60TK65GVC11

製品の説明:IGBT溝型フィールド650 V 33 A 76 Wスルーホールto-3pfmを切ります。

パッヶージ:TO-3PFM
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
RGTVX2TS65DGC11

製品の説明:IGBT溝型フィールド650 V 111 A 319 Wスルーホールto-247nを切ります。

パッヶージ:TO-247-3
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
RGTH60TS65GC13

製品の説明:IGBT溝型フィールド650 V 58 A 194 Wスルースルーto-247

パッヶージ:TO-247-3
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
RGS80TS65DHRC11

製品の説明:IGBT溝型フィールド650 V 73 A 272 WスルースルーTO−247N

パッヶージ:TO-247-3
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
RGS60TS65DHRC11

製品の説明:IGBT溝型フィールド650 V 56 A 223 Wスルーホールto-247nまでです。

パッヶージ:TO-247-3
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
RGS00TS65EHRC11

製品の説明:IGBT溝型フィールド650 V 88 A 326 Wスルースルーto-247n

パッヶージ:TO-247-3
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
RGW80TS65EHRC11

製品の説明:IGBT溝型フィールド650 V 80 A 214 Wスルーホールto-247nまでです。

パッヶージ:TO-247-3
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
RGW80TS65HRC11

製品の説明:IGBT溝型フィールド650 V 80 A 214 Wスルーホールto-247nまでです。

パッヶージ:TO-247-3
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
RGW60TS65CHRC11

製品の説明:IGBT 650 V 64 A 178 W貫通孔to-247nです

パッヶージ:TO-247-3
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
RGW40TS65GC11

製品の説明:IGBT溝型フィールド650 V 40 A 136 Wスルースルーto-247n

パッヶージ:TO-247-3
10起
1000
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10 +
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