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製品の説明:炭化ケイ素(SiC)MOSFET - EliteSiC、40 mΩ、1200 V、M3S、TO-247-3L
パッヶージ:TO-247-3製品の説明:フォトダイオード 420nm 160ps 8-WBGA
パッヶージ:8-WBGA製品の説明:炭化ケイ素(SiC)MOSFET - EliteSiC、30 mΩ、1200 V、M3S、D2PAK-7L
パッヶージ:D2PAK-7L製品の説明:フォトダイオード 420nm 110ps 8-WBGA
パッヶージ:8-WBGA製品の説明:MOSFET 炭化ケイ素(SiC)MOSFET - EliteSiC、33 mΩ、650 V、M2 Power88
パッヶージ:TDFN-4製品の説明:フォトダイオード 420nm 600ps 4-SMD、リードなし
パッヶージ:4-SMD製品の説明:フォトダイオード 420nm 300ps 4-SMD、リードなし
パッヶージ:4-SMD製品の説明:フォトダイオード 420nm 600ps 4-SMD、リードなし
パッヶージ:4-SMD製品の説明:フォトダイオード 420nm 1ns 4-SMD、リードなし
パッヶージ:4-SMD製品の説明:フォトダイオード 420nm 600ps 4-SMD、リードなし
パッヶージ:4-SMD製品の説明:CMOSイメージセンサ 4.8μm x 4.8μm 48-LCC
パッヶージ:48-LCC製品の説明:I²C、SPIデジタルアイソレータ 5000Vrms 3チャネル 15Mbps 100kV/µs CMTI 16-SOIC(0.295インチ、7.50mm 幅)
パッヶージ:SOIC-16製品の説明:CMOSイメージセンサ 808H x 608V 4.8μm x 4.8μm 67-ODCSP
パッヶージ:67-WFBGA製品の説明:IGBT 3相1.2 kv10a 27-PowerDIPモジュール(1.205",30.60mm)
パッヶージ:27-DIP製品の説明:IGBTモジュール三相相器650 V 50 A 20 mW貫通孔27-DIP
パッヶージ:27-DIP製品の説明:パワードライブモジュールMOSFET三相相器80V 19-PowerDIPモジュール(1.470",37.34mm)です。
パッヶージ:19-PowerDIP連絡先電話:86-755-83294757
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