商品名称:NTHL075N065SC1
データマニュアル:NTHL075N065SC1.PDF
ブランド:ON
年:23+
パッヶージ:TO-247-3
納期:真新しいオリジナル
在庫数量:1000 件
NTHL075N065SC1炭化ケイ素(SiC)MOSFETは、シリコンよりも優れたスイッチング性能と高い信頼性を提供します。 低オン抵抗とコンパクトなダイサイズを特長とし、低キャパシタンスと低ゲートチャージを保証します。 システムの利点として、高効率、高速動作周波数、高電力密度、EMI、システム・サイズの小型化が挙げられます。
製品特性
FETタイプ:Nチャンネル
技術:SiCFET(炭化ケイ素)
ドレイン-ソース間電圧(Vdss):650 V
25℃における連続ドレイン電流(Id):163A(Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):15V、18V
異なるId、Vgsでのオン抵抗(最大): 18 mΩ@75A、18V
異なるIdでのVgs(th)(最大): 4.3V @ 25mA
ゲート電荷 (Qg) at Vgs (max): 283 nC @ 18 V
Vgs(最大):+22V、-8V
入力キャパシタンス(Ciss)(異なるVds(最大)時): 4790 pF @ 325 V
許容損失(最大): 643W(Tc)
動作温度: -55°C ~ 175°C (TJ)
実装タイプ:スルーホール
サプライヤーデバイスパッケージ: TO-247-3
パッケージ/ケース: TO-247-3
アプリケーション
● スイッチング電源 (SMPS)
● ソーラーインバータ
● 無停電電源装置 (UPS)
● エネルギー貯蔵
モデル
ブランド
パッヶージ
数量
説明
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