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製品の説明:16Mb MoBL静的ランダムアクセスメモリWith ECCです
パッヶージ:TFSOP-48製品の説明:8ビットマイクロコントローラ- mu 4Kb Flsh 256B RAM IND
パッヶージ:SSOP-20製品の説明:1200V、34mΩ、CoolSiC™MOSFETディスクリートトランジスタ、TO-247-4
パッヶージ:TO-247-4製品の説明:1200V、53mΩ、CoolSiC™MOSFETディスクリートトランジスタ、TO-247-4
パッヶージ:TO-247-4製品の説明:OptiMOS™ 5 パワーMOSFET 80V 通信アプリケーション用
パッヶージ:TDSON-8製品の説明:ARM® Cortex®-M0 STM32F0 マイクロコントローラ IC 32 ビットシングルコア 48MHz 256KB(256K x 8)フラッシュメモリ
パッヶージ:TO-247-3製品の説明:650 V G5 GaN HEMT窒化ガリウムトランジスタです
パッヶージ:PG-LSON-8製品の説明:gan hemt—窒化ガリウムトランジスタ100 v g3、2.4 mオメガ
パッヶージ:PG-TSON-6製品の説明:gan hemt—窒化ガリウムトランジスタ 100 v g3、2.4 mオメガ
パッヶージ:PG-VSON-6製品の説明:gan hemt—窒化ガリウムトランジスタ86 a 80 v g3、1.8 mオメガ
パッヶージ:PG-TSON-6製品の説明:gan hemt—窒化ガリウムトランジスタ99 a v g3 60、1.3 mオメガ
パッヶージ:PG-TSON-6製品の説明:gan hemt—窒化ガリウムトランジスタ43 a 200 v g3、6.7 mオメガ
パッヶージ:PG-TSON-6製品の説明:GaNHEMT-窒化ガリウムトランジスタ71A120VG3、2.7m
パッヶージ:PG-TSON-6製品の説明:GaNHEMT–窒化ガリウムトランジスタ100VG3、PQFN3×3、8mΩ
パッヶージ:PG-TSON-4製品の説明:GaNHEMT–窒化ガリウムトランジスタ100VG3、PQFN3×3、8mΩ
パッヶージ:PG-VSON-4製品の説明:GaNHEMT–窒化ガリウムトランジスタ100VG3、PQFN3×3、5mΩ
パッヶージ:PG-TSON-4連絡先電話:86-755-83294757
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