商品名称:NチャンネルパワーMOSFET
ブランド:INFINEON
年:24+
パッヶージ:TDSON-8
納期:真新しいオリジナル
在庫数量:20000 件
BSC026N08NS5 OptiMOS™ 5 80 VパワーMOSFETは、電気通信およびサーバー電源の同期整流用に設計されています。 OptiMOS™ 5 80 V MOSFETは7種類のパッケージで提供され、業界で最も低いRDS(on)を特長としています。 さらに、OptiMOS™ 5 80 VのRDS(on)は、前世代よりも43%低くなっています。
BSC026N08NS5の特長
同期整流用に最適化
高いスイッチング周波数に最適
出力キャパシタンスが最大44%低減
RDS(on)を最大43%低減
BSC026N08NS5の仕様
FETタイプ:Nチャンネル
技術:MOSFET(金属酸化物)
ドレイン-ソース間電圧(Vdss):80 V
25°Cでの連続ドレイン電流(Id):23A(Ta)、100A(Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):6V、10V
オン抵抗(最大)(異なるId、Vgs時):2.6 mΩ@50A、10V
異なるIdでのVgs(th)(最大): 3.8V @ 115µA
ゲート電荷(Qg)@Vgs(最大):92nC@10V
Vgs(最大):±20V
入力キャパシタンス(Ciss)@変動Vds(最大): 6800 pF@40 V
許容損失(最大): 2.5W(Ta)、156W(Tc)
動作温度: -55°C ~ 150°C (TJ)
実装タイプ: 表面実装
サプライヤーデバイスパッケージ: PG-TDSON-8-6
パッケージ/ケース: 8-PowerTDFN
BSC026N08NS5 想定される用途
通信機器
サーバー
ソーラー
低電圧ドライブ
軽電気自動車
アダプター
モデル
ブランド
パッヶージ
数量
説明
INFINEON
PG-TO220-3
5000
CoolMOS® パワートランジスタ スルーホール Nチャネル 650 V 16A(Tc) 34W(Tc) PG-TO220-3-31
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