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製品の説明:表面装着型Nチャンネル80 V 170A (Ta) 294W (Ta) LFPAK56, power-so8
パッヶージ:LFPAK56製品の説明:表面装着型Nチャンネル55 V 330A (Ta) 375W (Ta) LFPAK88 (SOT1235)
パッヶージ:LFPAK88製品の説明:貫通孔Nチャンネル650 V 34.5A (Ta) 143W (Ta) to-247−3です
パッヶージ:TO-247-3製品の説明:貫通孔Nチャンネル650 V 47.2A 187W to-247-3です
パッヶージ:TO-247-3製品の説明:エネルギーハーベスティングPMIC 16-HWQFN(3x3)
パッヶージ:HWQFN-16製品の説明:650 V、140 mOhm窒化ガリウム(GaN)FET、DFN 8 mm x 8 mmパッケージ
パッヶージ:DFN8080-8製品の説明:650 V、190 mOhm窒化ガリウム(GaN)FET、DFN 5 mm x 6 mmパッケージ
パッヶージ:DFN5060-5製品の説明:650 V、140 mOhm窒化ガリウム(GaN)FET、DFN 5 mm x 6 mmパッケージ
パッヶージ:DFN5060-5製品の説明:150V、7mOhm窒化ガリウム(GaN)FET、2.2mm x 3.2mm x 0.774mmランドグリッドアレイ(LGA)パッケージ
パッヶージ:FCLGA-3製品の説明:650 V、190 mOhm窒化ガリウム(GaN)FET、DFN 8 mm x 8 mmパッケージ
パッヶージ:DFN8080-8製品の説明:650 V、80 mOhm窒化ガリウム(GaN)FET、DFN 8 mm x 8 mmパッケージ
パッヶージ:DFN8080-8製品の説明:3.5mm×2.13mmウェハレベル・チップスケール・パッケージ(WLCSP)内の100V、3.2mΩGaN FET
パッヶージ:WLCSP-8製品の説明:IGBT 溝付きフィールドカットオフ 600 V 75 A 285 Wスルーホール TO247-3L
パッヶージ:TO-247-3L製品の説明:表面装着型Pチャンネル60V 25A (Ta) 66W (Ta) LFPAK56, power-so8
パッヶージ:LFPAK56製品の説明:表面装着型Nチャンネル40V 6 a (Ta), 18A (t) 2W (Ta), 19W (t) dfn2020md-6
パッヶージ:6-UDFN製品の説明:表面装着型Pチャンネル60V 30A (Ta) 110W (Ta) LFPAK56, power-so8
パッヶージ:LFPAK56連絡先電話:86-755-83294757
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