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PSMN4R2-80YSEX

製品の説明:表面装着型Nチャンネル80 V 170A (Ta) 294W (Ta) LFPAK56, power-so8

パッヶージ:LFPAK56
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
PSMN1R2-55SLHAX

製品の説明:表面装着型Nチャンネル55 V 330A (Ta) 375W (Ta) LFPAK88 (SOT1235)

パッヶージ:LFPAK88
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
GAN063-650WSAQ

製品の説明:貫通孔Nチャンネル650 V 34.5A (Ta) 143W (Ta) to-247−3です

パッヶージ:TO-247-3
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
GAN041-650WSBQ

製品の説明:貫通孔Nチャンネル650 V 47.2A 187W to-247-3です

パッヶージ:TO-247-3
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NEH2000BYJ

製品の説明:エネルギーハーベスティングPMIC 16-HWQFN(3x3)

パッヶージ:HWQFN-16
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
GAN140-650EBEZ

製品の説明:650 V、140 mOhm窒化ガリウム(GaN)FET、DFN 8 mm x 8 mmパッケージ

パッヶージ:DFN8080-8
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
GAN190-650FBEZ

製品の説明:650 V、190 mOhm窒化ガリウム(GaN)FET、DFN 5 mm x 6 mmパッケージ

パッヶージ:DFN5060-5
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
GAN140-650FBEZ

製品の説明:650 V、140 mOhm窒化ガリウム(GaN)FET、DFN 5 mm x 6 mmパッケージ

パッヶージ:DFN5060-5
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
GAN7R0-150LBEZ

製品の説明:150V、7mOhm窒化ガリウム(GaN)FET、2.2mm x 3.2mm x 0.774mmランドグリッドアレイ(LGA)パッケージ

パッヶージ:FCLGA-3
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
GAN190-650EBEZ

製品の説明:650 V、190 mOhm窒化ガリウム(GaN)FET、DFN 8 mm x 8 mmパッケージ

パッヶージ:DFN8080-8
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
GAN080-650EBEZ

製品の説明:650 V、80 mOhm窒化ガリウム(GaN)FET、DFN 8 mm x 8 mmパッケージ

パッヶージ:DFN8080-8
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
GAN3R2-100CBEAZ

製品の説明:3.5mm×2.13mmウェハレベル・チップスケール・パッケージ(WLCSP)内の100V、3.2mΩGaN FET

パッヶージ:WLCSP-8
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NGW30T60M3DFQ

製品の説明:IGBT 溝付きフィールドカットオフ 600 V 75 A 285 Wスルーホール TO247-3L

パッヶージ:TO-247-3L
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
BUK6Y61-60PX

製品の説明:表面装着型Pチャンネル60V 25A (Ta) 66W (Ta) LFPAK56, power-so8

パッヶージ:LFPAK56
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
BUK6D30-40EX

製品の説明:表面装着型Nチャンネル40V 6 a (Ta), 18A (t) 2W (Ta), 19W (t) dfn2020md-6

パッヶージ:6-UDFN
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
BUK6Y33-60PX

製品の説明:表面装着型Pチャンネル60V 30A (Ta) 110W (Ta) LFPAK56, power-so8

パッヶージ:LFPAK56
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
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