商品名称:GAN3R2-100CBEAZ
データマニュアル:GAN3R2-100CBEAZ.pdf
ブランド:Nexperia
年:23+
パッヶージ:WLCSP-8
納期:真新しいオリジナル
在庫数量:1000 件
GAN3R2-100CBEAZは、15バンプ・ウェハーレベル・チップスケール・パッケージ(WLCSP)に収められた、汎用100V、3.2mΩの窒化ガリウム(GaN)FETです。 優れた性能を持つノーマリオフ電子モードデバイスです。
製品特性
FETタイプ:Nチャネル
技術:GaNFET(窒化ガリウム)
ドレイン-ソース間電圧(Vdss):100 V
25℃における連続ドレイン電流(Id):60A
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):5V
異なるId、Vgsにおけるオン抵抗(最大): 3.2 mOhm @ 25A、5V
異なるIdでのVgs(th)(最大): 2.5V @ 9mA
ゲート電荷 (Qg) at Vgs (max): 12 nC @ 5 V
Vgs(最大):+6V、-4V
入力キャパシタンス(Ciss)(異なるVds(最大)時): 1000 pF @ 50 V
電力損失(最大):394W
動作温度: -40°C ~ 150°C (TJ)
実装タイプ: 表面実装
サプライヤーデバイスパッケージ: 8-WLCSP (3.5x2.13)
パッケージ/ケース: 8-XFBGA、WLCSP
用途
高電力密度、高効率電力変換
AC-DCコンバータ(二次)
48 Vシステムの高周波DC-DCコンバータ
高速バッテリー充電、携帯電話、ノートパソコン、タブレット、USB Type-C充電器
データ通信および電気通信(AC-DCおよびDC-DC)コンバータ
モーター・ドライバ
LiDAR(非自動車)
クラスDオーディオ・アンプ
モデル
ブランド
パッヶージ
数量
説明
Nexperia
FCLGA-3
1000
150V、7mOhm窒化ガリウム(GaN)FET、2.2mm x 3.2mm x 0.774mmランドグリッドアレイ(LGA)パッケージ
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