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NXH500B100H7Q2F2PHG
ON

製品の説明:IGBTモジュールトレンチ型電界カット3段インバータ1000 V209 A497 Wベース実装50 PIM

パッヶージ:PIM50
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NXH500B100H7F5SHG
ON

製品の説明:IGBTモジュールトレンチ型電界カット3段インバータ1000 V210 A503 W基盤実装58 PIM

パッヶージ:PIM58
10起
1500
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
SI8660BD-ASR

製品の説明:汎用 デジタルアイソレーター 5000Vrms 6 チャンネル 150Mbps 35kV/µs CMTI 16-SOIC(0.295インチ、7.50mm 幅)

パッヶージ:SOIC-16
10起
15000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
SI32176-C-FM1R

製品の説明:電信ICユーザー回線インターフェース概念(SLIC)、CODEC 42-QFN(5×7)

パッヶージ:QFN-42
10起
10000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
R7F701412EABG

製品の説明:自動車の計器盤向けに設計された高級自動車用マイクロコントローラー

パッヶージ:BGA484
10起
2400
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
VND5N07TR
ST

製品の説明:OMNIFET:全自動保護機能付きパワーMOSFET

パッヶージ:DPAK-3
10起
15200
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
BSC052N08NS5

製品の説明:OptiMOS™ 5 80V パワーMOSFET(テレコムアプリケーション向け)

パッヶージ:PG-TDSON-8
10起
13100
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
CSD95492QVM
TI

製品の説明:4x5 SON小型パッケージを採用した20A同期降圧NexFETスマートパワーステージ

パッヶージ:VSON-18
10起
5000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
STPS41H100CG
ST

製品の説明:100 V、40 A 2回路式パワー・ショットキー整流器

パッヶージ:D2PAK
10起
21880
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NXVF6532M3TG01
ON

製品の説明:EliteSiCパワーMOSFETモジュール650 V、32 m Hブリッジ

パッヶージ:Module
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
FGB5065G2-F085
ON

製品の説明:IGBTトランジスタ650 V78 A300 W表面実装型TO-263(D2 PAK)

パッヶージ:D2PAK
10起
1500
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
FGB5056G2-F085
ON

製品の説明:IGBTトランジスタ560 V80 A300 W表面実装型TO-263(D2 PAK)

パッヶージ:D2PAK
10起
1500
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NVTFS015P03P8Z
ON

製品の説明:PチャネルパワーMOSFET、-30 V、-88.6 A、7.5 mΩ、µ8 FL

パッヶージ:8-WDFN
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NVMFS2D3P04M8L
ON

製品の説明:PチャネルパワーMOSFET、-40 V、-222 A、2.2 mΩ、DFN5

パッヶージ:DFN5
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NTMFS003P03P8Z
TI

製品の説明:PチャネルパワーMOSFET、-30 V、-234 A、1.8 mΩ、SO8-FL

パッヶージ:SO-8FL
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NTHL040N65S3HF
ON

製品の説明:NチャネルパワーMOSFET、650 V、65 A、40 mΩ、TO-247-3

パッヶージ:TO-247-3
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
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