ブランド:
製品の画像
規格型番
ブランド
パラメータの説明
発注量
在庫品
購入数量
単価
操作
製品の説明:IGBTモジュールトレンチ型電界カット3段インバータ1000 V209 A497 Wベース実装50 PIM
パッヶージ:PIM50製品の説明:IGBTモジュールトレンチ型電界カット3段インバータ1000 V210 A503 W基盤実装58 PIM
パッヶージ:PIM58製品の説明:汎用 デジタルアイソレーター 5000Vrms 6 チャンネル 150Mbps 35kV/µs CMTI 16-SOIC(0.295インチ、7.50mm 幅)
パッヶージ:SOIC-16製品の説明:電信ICユーザー回線インターフェース概念(SLIC)、CODEC 42-QFN(5×7)
パッヶージ:QFN-42製品の説明:自動車の計器盤向けに設計された高級自動車用マイクロコントローラー
パッヶージ:BGA484製品の説明:OptiMOS™ 5 80V パワーMOSFET(テレコムアプリケーション向け)
パッヶージ:PG-TDSON-8製品の説明:4x5 SON小型パッケージを採用した20A同期降圧NexFETスマートパワーステージ
パッヶージ:VSON-18製品の説明:100 V、40 A 2回路式パワー・ショットキー整流器
パッヶージ:D2PAK製品の説明:EliteSiCパワーMOSFETモジュール650 V、32 m Hブリッジ
パッヶージ:Module製品の説明:IGBTトランジスタ650 V78 A300 W表面実装型TO-263(D2 PAK)
パッヶージ:D2PAK製品の説明:IGBTトランジスタ560 V80 A300 W表面実装型TO-263(D2 PAK)
パッヶージ:D2PAK製品の説明:PチャネルパワーMOSFET、-30 V、-88.6 A、7.5 mΩ、µ8 FL
パッヶージ:8-WDFN製品の説明:PチャネルパワーMOSFET、-40 V、-222 A、2.2 mΩ、DFN5
パッヶージ:DFN5製品の説明:PチャネルパワーMOSFET、-30 V、-234 A、1.8 mΩ、SO8-FL
パッヶージ:SO-8FL製品の説明:NチャネルパワーMOSFET、650 V、65 A、40 mΩ、TO-247-3
パッヶージ:TO-247-3連絡先電話:86-755-83294757
企業QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
サービス時間:9:00-18:00
連絡先メールボックス:sales@hkmjd.com
会社の住所:広東省深圳市福田区振中路国利ビル1239~1241号室
CopyRight©2022 明佳達著作権の所有 広東ICP備05062024号-12
公式QRコード
友情リンク: