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AIプロセッサー・チップ

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IMZA65R083M1H

製品の説明:650V CoolSiC™ MOSFET - 炭化ケイ素(SiC)MOSFETをTO247 4ピンパッケージに搭載し、信頼性とコスト効率に優れた性能を実現

パッヶージ:TO-247-4
10起
10000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMZA65R030M1H

製品の説明:650V CoolSiC™ MOSFET - 炭化ケイ素(SiC)MOSFETをTO247 4ピンパッケージに搭載し、信頼性とコスト効率に優れた性能を実現

パッヶージ:TO247-4
10起
10000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMBF170R650M1

製品の説明:TO-263-7パッケージの1700V CoolSiC™トレンチ型炭化珪素MOSFET

パッヶージ:TO-263-7
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMZA65R048M1H

製品の説明:650V CoolSiC™ MOSFET - 炭化ケイ素(SiC)MOSFETをTO247 4ピンパッケージに搭載し、信頼性とコスト効率に優れた性能を実現

パッヶージ:TO247-4
10起
5000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMZ120R090M1H

製品の説明:TO247-4パッケージの1200V CoolSiC™トレンチ型炭化珪素MOSFET

パッヶージ:TO247-4
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMBG65R057M1H

製品の説明:SMD小型パッケージSiC MOSFET

パッヶージ:TO-263-7
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMBG65R022M1H

製品の説明:SMD小型パッケージSiC MOSFET

パッヶージ:TO-263-7
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMBG65R072M1H

製品の説明:SMD小型パッケージSiC MOSFET

パッヶージ:TO-263-7
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMW120R060M1H

製品の説明:TO247-3パッケージの1200V CoolSiC™ トレンチ炭化珪素MOSFET

パッヶージ:TO247-3
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMBG120R030M1H

製品の説明:TO-263-7パッケージの1200V CoolSiC™トレンチ型炭化珪素MOSFET

パッヶージ:TO-263-7
10起
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1 +
10 +
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IMBG120R030M1H

製品の説明:TO-263-7パッケージの1200V CoolSiC™トレンチ型炭化珪素MOSFET

パッヶージ:TO-263-7
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMW65R072M1H

製品の説明:650V CoolSiC™ MOSFET - 炭化ケイ素(SiC)MOSFETをTO247 3ピンパッケージに搭載し、信頼性とコスト効率に優れた性能を実現

パッヶージ:TO-247-3
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMBG65R107M1H

製品の説明:650V CoolSiC™ M1 SiCトレンチ型パワーデバイス

パッヶージ:TO-263-7
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMBG65R030M1H

製品の説明:650V CoolSiC™ M1 SiCトレンチ型パワーデバイス

パッヶージ:TO-263-7
10起
1000
1 +
10 +
25 +
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>=100
IMBG65R163M1H

製品の説明:SMD小型パッケージSiC MOSFET

パッヶージ:TO-263-7
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
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IMBG65R083M1H

製品の説明:SMD小型パッケージSiC MOSFET

パッヶージ:TO-263-7
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
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