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AIプロセッサー・チップ

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IMW120R220M1H

製品の説明:TO247-3 パッケージの1200V CoolSiC™ トレンチ型炭化珪素MOSFET

パッヶージ:TO-247-3
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IAUC60N04S6N031H

製品の説明:MOSFETアレイ40V 60A (Tj) 75W (t)表面装着型pg-tdson-8-56

パッヶージ:PG-TDSON-8-56
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IAUT240N08S5N019

製品の説明:表面装着型Nチャンネル80 V 240A (t) 230W (t) pg-hsof-8-1

パッヶージ:PG-HSOF-8-1
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IAUA220N08S5N021

製品の説明:表面装着型、Nチャンネル80 V 220A (Tj) 211W (Tc) pg-hsof-5-4です。

パッヶージ:PG-HSOF-5-4
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
AIDK12S65C5ATMA1

製品の説明:ダイオード650 V 12A表面装着型pg-to263-2

パッヶージ:TO263-2
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
AIDK10S65C5ATMA1

製品の説明:ダイオード650 V 10A表面装着型pg-to263-2

パッヶージ:TO263-2
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
AIDK08S65C5ATMA1

製品の説明:ダイオード650 V 8A表面装着型pg-to263-2

パッヶージ:TO263-2
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMBG120R030M1H

製品の説明:TO-263-7パッケージの1200V CoolSiC™トレンチ型炭化珪素MOSFET

パッヶージ:TO-263-7
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMW65R039M1H

製品の説明:650V CoolSiC™ MOSFET - 炭化ケイ素(SiC)MOSFETをTO247 3ピンパッケージに搭載し、信頼性とコスト効率に優れた性能を実現

パッヶージ:TO-247-3
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMW65R027M1H

製品の説明:650V CoolSiC™ MOSFET - 炭化ケイ素(SiC)MOSFETをTO247 3ピンパッケージに搭載し、信頼性とコスト効率に優れた性能を実現

パッヶージ:TO-247-3
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMBG65R260M1H

製品の説明:SMD小型パッケージSiC MOSFET

パッヶージ:TO-263-7
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMZA65R039M1H

製品の説明:650V CoolSiC™ MOSFET - 炭化ケイ素(SiC)MOSFETをTO247 4ピンパッケージに搭載し、信頼性とコスト効率に優れた性能を実現

パッヶージ:TO-247-4
10起
12250
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMW65R057M1H

製品の説明:650V CoolSiC™ MOSFET - 炭化ケイ素(SiC)MOSFETをTO247 3ピンパッケージに搭載し、信頼性とコスト効率に優れた性能を実現

パッヶージ:TO-247-3
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMW120R140M1H

製品の説明:CoolSiC™ 1200Vトレンチ型炭化珪素MOSFET TO247-3パッケージ

パッヶージ:TO247-3
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMW65R083M1H

製品の説明:650V CoolSiC™ MOSFET - 炭化ケイ素(SiC)MOSFETをTO247 3ピンパッケージに搭載し、信頼性とコスト効率に優れた性能を実現

パッヶージ:TO-247-3
10起
4000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMZA65R107M1H

製品の説明:650V CoolSiC™ MOSFET - 炭化ケイ素(SiC)MOSFETをTO247 4ピンパッケージに搭載し、信頼性とコスト効率に優れた性能を実現

パッヶージ:TO-247-4
10起
10000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
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