ブランド:
製品の画像
規格型番
ブランド
パラメータの説明
発注量
在庫品
購入数量
単価
操作
製品の説明:炭化ケイ素(SiC)モジュール - 11 mohm SiC M3S MOSFET、1200V、F2パッケージのTNPCトポロジー
パッヶージ:PIM-29製品の説明:プレスフィット信号ピン付き車載用80Vデュアルハーフブリッジモズフェットモジュール、APM17
パッヶージ:APM17-MFA製品の説明:Qdual3 1200V 800A ハーフブリッジIGBTモジュール
パッヶージ:PIM-11製品の説明:車載用80V、2チャンネルバック・トゥ・バック・モスフェット・モジュール、APM17
パッヶージ:APM17-MDC製品の説明:炭化ケイ素(SiC)モジュール - EliteSiC、30 mohm SiC M3S MOSFET、1200 V、2パックハーフブリッジトポロジ、F1パッケージ
パッヶージ:PIM-18製品の説明:炭化ケイ素(SiC)モジュール - EliteSiC、30 mohm SiC M3S MOSFET、1200 V、4パックフルブリッジトポロジ、F1パッケージ
パッヶージ:PIM-22製品の説明:炭化ケイ素(SiC)モジュール - EliteSiC、15 mohm SiC M3S MOSFET、1200 V、2パックハーフブリッジトポロジ、F1パッケージ
パッヶージ:PIM-18製品の説明:炭化ケイ素(SiC)モジュール - EliteSiC、15 mohm SiC M3S MOSFET、1200 V、4パックフルブリッジトポロジ
パッヶージ:PIM-22製品の説明:MOSFET - パワー、シングルNチャンネル、SUPERFET V、イージードライブ、TO247-3L 600V、99m、33A
パッヶージ:TO-247-3製品の説明:6.5A ゲートドライバ 容量結合 5000Vrms 1チャンネル 8-SOIC
パッヶージ:SOIC-8製品の説明:MOSFET-パワー、シングルNチャンネル、D2PAK7 60V、1.55m、267A
パッヶージ:D2PAK-7製品の説明:炭化ケイ素(SiC)ショットキーダイオード - EliteSiC 50A 1200V D3 TO-247-2Lパッケージ
パッヶージ:TO-247-2L製品の説明:MOSFET-パワー、シングルNチャンネル、40 V、0.92 m、300 A
パッヶージ:5-DFN製品の説明:MOSFET - NチャンネルシールドゲートPowerTrench 150V、7.3m、101A
パッヶージ:TO-263-3製品の説明:パワーMOSFET、Nチャンネル、SUPERFET III、FAST、650V、10A、360mΩ、DPAK
パッヶージ:TO-252-3製品の説明:絶縁型大電流IGBT/MOSFETゲートドライバ
パッヶージ:SOIC-8連絡先電話:86-755-83294757
企業QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
サービス時間:9:00-18:00
連絡先メールボックス:sales@hkmjd.com
会社の住所:広東省深圳市福田区振中路国利ビル1239~1241号室
CopyRight©2022 明佳達著作権の所有 広東ICP備05062024号-12
公式QRコード
友情リンク: