商品名称:IXBH20N360HV
データマニュアル:IXBH20N360HV.pdf
ブランド:IXYS
年:23+
パッヶージ:TO-247
納期:新品のオリジナルです
在庫数量:3000 件
IXBH20N360HV超高圧3600V逆ガイドパス(BiMOSFET™)IGBTは、MOSFETとIGBTの利点を組み合わせます。この高電圧デバイスは,飽和電圧と内蔵ダイオードの正電圧降下が正電圧の温度係数を持つため,並列運転に適しています。「フリー」内蔵ダイオードは、デバイスオフ時の感受性負荷電流の代替経路を提供する保護ダイオードとして機能し、高Ldi/dt電圧の一時的な変化によるデバイスの損傷を防ぎます。
製品仕様です:
IGBTタイプ:-です
電圧-輻射破壊(最大値):3600 Vです
電流-コレクタ(Ic)(最大値):70 Aです
電流-集電パルス(Icm): 220 Aです
異なるVge、Ic時Vce(on)(最大値):3.4V @ 15V, 20A
出力-最大値:430 Wです。
スイッチのエネルギーは15.5mJ(オン)、4.3mJ(オフ)です。
入力タイプ:標準です。
ゲート電荷:110 nCです
25°CでTd(オン/オフ)値は18ns/238nsです。
条件は1500V, 20A, 10オーム,15Vです
逆回復時間(trr): 1.7µsです
動作温度:-55℃~ 150℃(TJ)です。
取り付けタイプ:貫通穴です
パッケージ/ハウジング:to-247-3バリエーションです。
サプライヤーデバイスパッケージ:to-247hvです。
基本品番:IXBH20です。
モデル
ブランド
パッヶージ
数量
説明
INFINEON
TO-247-3
10000
ARM® Cortex®-M0 STM32F0 マイクロコントローラ IC 32 ビットシングルコア 48MHz 256KB(256K x 8)フラッシュメモリ
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IXYSは米国シリコンバレーに本社を置き、1983年に設立された主な事業内容:MOSFET、IGBT、サイリスタ、SCR、整流ブリッジ、ダイオード、DCBブロック、パワーモジュール、ハイブリッド、トランジスタ、インバータ、RFモジュール、マイコンなど事業は消費、自動車、医療、通…
IXFH60N65X2-4
IXFH60N65X2-4 は、IXYSが発売するNチャネルパワーMOSFETで、HiPerFET™ X2-Class シリーズに属し、TO-247-4L パッケージを採用しています。DLA60I1200HA
DLA60I1200HA は、IXYS が発売した 1200V/60A の汎用整流器で、TO-247-2(TO-247AD)パッケージを採用し、高出力整流、産業用電源、モーター駆動など幅広いアプリケーションに適用可能です。IXFH60N50P3
IXFH60N50P3は、高電力スイッチングアプリケーション向けに設計されたHiPerFET™ Polar3™シリーズに属するNチャネルパワーMOSFETです。IXGH28N60B3D1
IXGH28N60B3D1絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)は、最大150 kHzのスイッチング能力を提供し、電流範囲は66Aです。高スイッチング速度と低伝導損失の組み合わせは、電源設計者に価値の高い新しいスイッチングアプリケーションの選択肢を提供します。この製品は以下…IXXK100N60B3H1
IXXK100N60B3H1は、主に10 ~ 30kHzのスイッチング用のIGBT(絶縁ゲートバイ極トランジスタ)です。この製品は以下の主要なパラメータを持っています:IGBTタイプ:PTです電圧-輻射破壊(最大値):600 Vです電流-コレクタ(Ic)(最大値):200 Aです電流-集電パルス(Icm): 440 Aです…IXYK85N120C4H1
IXYK85N120C4H1絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)は,XPT薄ウエハー技術と溝型IGBTプロセスで開発しました。このトランジスタは低い熱抵抗を持ち,低いスイッチング損失を実現するために最適化されています。特徴と仕様は以下の通りです。特徴ですスイッチング損失が…連絡先電話:86-755-83294757
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