商品名称:IXBH20N360HV
データマニュアル:IXBH20N360HV.pdf
ブランド:IXYS
年:23+
パッヶージ:TO-247
納期:新品のオリジナルです
在庫数量:3000 件
IXBH20N360HV超高圧3600V逆ガイドパス(BiMOSFET™)IGBTは、MOSFETとIGBTの利点を組み合わせます。この高電圧デバイスは,飽和電圧と内蔵ダイオードの正電圧降下が正電圧の温度係数を持つため,並列運転に適しています。「フリー」内蔵ダイオードは、デバイスオフ時の感受性負荷電流の代替経路を提供する保護ダイオードとして機能し、高Ldi/dt電圧の一時的な変化によるデバイスの損傷を防ぎます。
製品仕様です:
IGBTタイプ:-です
電圧-輻射破壊(最大値):3600 Vです
電流-コレクタ(Ic)(最大値):70 Aです
電流-集電パルス(Icm): 220 Aです
異なるVge、Ic時Vce(on)(最大値):3.4V @ 15V, 20A
出力-最大値:430 Wです。
スイッチのエネルギーは15.5mJ(オン)、4.3mJ(オフ)です。
入力タイプ:標準です。
ゲート電荷:110 nCです
25°CでTd(オン/オフ)値は18ns/238nsです。
条件は1500V, 20A, 10オーム,15Vです
逆回復時間(trr): 1.7µsです
動作温度:-55℃~ 150℃(TJ)です。
取り付けタイプ:貫通穴です
パッケージ/ハウジング:to-247-3バリエーションです。
サプライヤーデバイスパッケージ:to-247hvです。
基本品番:IXBH20です。
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IXYSは米国シリコンバレーに本社を置き、1983年に設立された主な事業内容:MOSFET、IGBT、サイリスタ、SCR、整流ブリッジ、ダイオード、DCBブロック、パワーモジュール、ハイブリッド、トランジスタ、インバータ、RFモジュール、マイコンなど事業は消費、自動車、医療、通…
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