商品名称:MSCSM120HM16CT3AG
データマニュアル:MSCSM120HM16CT3AG.pdf
ブランド:Microchip
年:23+
パッヶージ:SP3F
納期:真新しいオリジナル
在庫数量:3000 件
このMSCSM120HM16CT3AGデバイスは、フルブリッジ1200V/173Aのオールシリコンカーバイド(SiC)パワーモジュールです。
MSCSM120HM16CT3AGデバイスのパラメータ:
技術:炭化ケイ素(SiC)
構成: 4 Nチャンネル
FETの機能: -
ドレインソース電圧(Vdss):1200V(1.2kV)
25℃における電流 - 連続ドレイン電流(Id):173A(Tc)
オン抵抗(最大)(異なるId、Vgs時):16ミリオーム@80A、20V
異なるIdにおけるVgs(th)(最大): 2.8V @ 2mA
ゲート電荷(Qg):464nC @ 20V(最大)、Vgs違い
入力容量(Ciss):6040pF @ 1000V、Vds(max)違い
最大電力: 745W (Tc)
動作温度: -40°C ~ 175°C (TJ)
マウントタイプ:シャーシマウント
パッケージ/ハウジング: モジュール
サプライヤーデバイスパッケージ: SP3F
基本部品番号: MSCSM120
アプリケーション
MSCSM120HM16CT3AGデバイスは、以下の用途で使用するために設計されています:
- 無停電電源装置
- スイッチング・モード電源
- 電気自動車用モーターおよびトラクションドライブ
- 溶接用コンバーター
モデル
ブランド
パッヶージ
数量
説明
Microchip
SOT-227
1000
SiC MOSFETモジュールNチャンネル1200 V 55A (t) 245W (t) sot-227 (ISOTOP®)です。
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