SCTW100N120G2AG炭化ケイ素パワーMOSFETデバイスは、先進的で革新的な第2世代SiC MOSFET技術を用いて開発されました。このデバイスは、単位面積当たりのオン抵抗が著しく低く、スイッチング性能が非常に優れています。スイッチング損失の変動は接合部温度にほとんど依存しません。
SCTW100N120G2AGの特長
AEC-Q101認定
高速スイッチング性能
非常に高速で堅牢なボディ内蔵ダイオード
低キャパシタンス
非常に高い動作接合部温度耐性 (TJ = 200 °C)
SCTW100N120G2AGのアプリケーション
インバータ用トラクション
DC-DCコンバータ
ソーラー・インバータ
OBC
モデル
ブランド
パッヶージ
数量
説明
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