商品名称:シリコンカーバイドMOSFETトランジスタ
ブランド:ST
年:25+
パッヶージ:HU3PAK-7
納期:真新しいオリジナル
在庫数量:2000 件
SCT011HU75G3AG シリコンカーバイドパワーMOSFETデバイスは、STの高度で革新的な第3世代SiC MOSFET技術を用いて開発されました。このデバイスは、全温度範囲にわたって非常に低いRDS(オン)と、低い容量と非常に高いスイッチング動作を特徴とし、周波数、エネルギー効率、システムサイズ、および重量の削減においてアプリケーションのパフォーマンスを向上させています。
SCT011HU75G3AG の特長
AEC-Q101認定済み
全温度範囲にわたって非常に低い RDS(on)
高速スイッチング性能
非常に高速で堅牢な内蔵ダイオード
効率向上のためのソースセンシングピン
SCT011HU75G3AG の用途
EV/HEV用DC/DCコンバータ
主インバータ(電気推進)
車載充電器(OBC)
モデル
ブランド
パッヶージ
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