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組み込みおよびネットワーク・プロセッサ

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IMBG120R140M1HXTMA1

製品の説明:TO-263-7パッケージのCoolSiC™ 1200V SiCトレンチMOSFETトランジスタ

パッヶージ:TO-263-7
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMBG120R060M1HXTMA1

製品の説明:TO-263-7パッケージのCoolSiC™ 1200V SiCトレンチMOSFETトランジスタ

パッヶージ:TO-263-7
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMBG120R350M1HXTMA1

製品の説明:TO-263-7パッケージのCoolSiC™ 1200V SiCトレンチMOSFETトランジスタ

パッヶージ:TO-263-7
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMBG120R030M1HXTMA1

製品の説明:TO-263-7パッケージのCoolSiC™ 1200V SiCトレンチMOSFETトランジスタ

パッヶージ:TO-263-7
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMW120R030M1HXKSA1

製品の説明:TO247-3パッケージのCoolSiC™ 1200V SiCトレンチMOSFETトランジスタ

パッヶージ:TO-247-3
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMW120R020M1HXKSA1

製品の説明:TO247-3パッケージのCoolSiC™ 1200V、20mΩ SiCトレンチMOSFETトランジスタ

パッヶージ:TO-247-3
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMZ120R030M1HXKSA1

製品の説明:TO247-4パッケージのCoolSiC™ 1200V SiCトレンチMOSFETトランジスタ

パッヶージ:TO-247-4
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMZA120R007M1HXKSA1

製品の説明:TO247-4パッケージのCoolSiC™ 1200V、7mΩ SiCトレンチMOSFETトランジスタ

パッヶージ:TO-247-4
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMZA120R020M1HXKSA1

製品の説明:TO247-4パッケージのCoolSiC™ 1200V、20mΩ SiCトレンチMOSFETトランジスタ

パッヶージ:TO-247-4
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
UJ4C075018K3S

製品の説明:MOSFET 750V、18mΩ G4 SiC FETトランジスタ

パッヶージ:TO-247-3
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
SCT018W65G3-4AG
ST

製品の説明:車載グレード炭化ケイ素パワーMOSFET 650V、20mΩ(標準)、55A、HiP247-4パッケージ

パッヶージ:TO-247-4
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NVBG1000N170M1
ON

製品の説明:表面実装 Nチャンネル 1700 V 4.3A(Tc) 51W(Tc) D2PAK-7

パッヶージ:D2PAK-7
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
SCT055W65G3-4AG
ST

製品の説明:車載グレード炭化ケイ素パワーMOSFET 650V、58mΩ(標準)、30A、HiP247-4パッケージ

パッヶージ:HiP247-4
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
SCTH100N65G2-7AG
ST

製品の説明:表面装着型Nチャンネル650 V 95A (t) 360W (t) h2pak-7

パッヶージ:H2PAK-7
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
SCT060HU75G3AG
ST

製品の説明:表面装着型Nチャンネル750 V 30A (Tc) 185W (Tc) HU3PAK

パッヶージ:HU3PAK
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NTBG070N120M3S
ON

製品の説明:表面装着型Nチャンネル1200 V 36A (t) 172W (t) d2pak-7

パッヶージ:D2PAK-7
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
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