IXBK55N300は、3 kv130 A超高電圧シリーズのIGBTで、to-264-3パッケージを採用しています。
BiMOSFETは、MOSFETとIGBTの両方を兼ね備えています。非外延構造と新しい製造プロセスにより、BiMOSFETは成功しました。飽和電圧と固有ダイオードの正の電圧降下は、正の電圧温度係数を持つため、並列に理想的です。
機能と特徴です
「自由」固有体ダイオードです
高出力密度です
高週波動作です
低伝導損失です
MOSゲートオープンは簡単です
4000Vの電気絶縁です
応用です:
スイッチングモードと共振モード電源です
無停電電源(UPS)です
レーザーとX線発生器です
コンデンサ放電回路
高電圧パルス回路です
高電圧試験装置です
ACスイッチです
モデル
ブランド
パッヶージ
数量
説明
INFINEON
TO-247-3
10000
ARM® Cortex®-M0 STM32F0 マイクロコントローラ IC 32 ビットシングルコア 48MHz 256KB(256K x 8)フラッシュメモリ
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IXYSは米国シリコンバレーに本社を置き、1983年に設立された主な事業内容:MOSFET、IGBT、サイリスタ、SCR、整流ブリッジ、ダイオード、DCBブロック、パワーモジュール、ハイブリッド、トランジスタ、インバータ、RFモジュール、マイコンなど事業は消費、自動車、医療、通…
IXFX230N20T
IXFX230N20Tは、大電流・高電圧アプリケーション向けに設計された高性能パワーMOSFETです。VUO36-16NO8
VUO36-16NO8は、高電圧・大電流アプリケーション用に設計された高性能三相ブリッジ整流器です。IXSH80N120L2KHV
ixsh80n120l2khv 1項は1200 v炭化ケイ素パワーmosfetトランジスタ、その導通抵抗(rds (on)は30 mオメガ、これは導通の状態で、素子の抵抗が少ない、エネルギーを減らすのに役立つ読んだり。同ixsh80n120l2khv素子が効率に適用、急速にスイッチと低読んだりの応用、车上充…IXSH40N120L2KHV
IXSH40N120L2KHVは工業グレードのSiC MOSFETで、耐圧値は1200Vで、低オン抵抗と高速スイッチング特性を備えており、高出力アプリケーションシーンに適しています。ixsh40n120l2khvの低い導通を持つ抵抗を減らすのに役立つエネルギーを読んだり、システムの効率を高める…IXSA80N120L2-7
ixsa80n120l2-7は工業グレード、単スイッチSiC MOSFETで、低損失、速い切り替えの特性を持っていて、高速工業スイッチモード電源供給に適しています。主な特性です低い導通読んだり:ixsa80n120l2−7の導通読んだりが低く、具体的には30 mオメガである。低いゲート駆動出…IXSA40N120L2-7
ixsa40n120l2-7は工業グレードの単管炭化シリコンMOSFET (SiC MOSFET)で、優れたパワーサイクル特性と高速、低損失のスイッチング動作を備えています。応用分野ですixsa40n120l2-7は、以下のような高出力および高周波数アプリケーションシーンに適しています。ソーラー・…連絡先電話:86-755-83294757
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