商品名称:IXYH55N120C4H1
ブランド:IXYS
年:24+
パッヶージ:TO-247-3
納期:真新しいオリジナル
在庫数量:1000 件
IXYH55N120C4H1 - 1200V、55A XPT™ Gen4 IGBTトランジスタ、ソニックダイオード付き 20kHz~50kHzスイッチング用高速IGBT
製品概要
当社独自のXPT™薄型ウェハ技術と最先端のトレンチIGBTプロセスを使用して開発されたこれらのデバイスは、熱抵抗の低減、低エネルギー損失、高速スイッチング、低テール電流、高電流密度を特長としています。
特長と利点
低スイッチング損失
正の熱係数VCE(sat)
国際標準パッケージ
高電流処理能力
高電力密度
低ゲート駆動要件
アンチパラレルソニックダイオード
アプリケーション
パワーインバータ
UPS
モータードライブ
SMPS
PFC回路
バッテリーチャージャー
溶接機
モデル
ブランド
パッヶージ
数量
説明
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IXYSは米国シリコンバレーに本社を置き、1983年に設立された主な事業内容:MOSFET、IGBT、サイリスタ、SCR、整流ブリッジ、ダイオード、DCBブロック、パワーモジュール、ハイブリッド、トランジスタ、インバータ、RFモジュール、マイコンなど事業は消費、自動車、医療、通…
IXA33IF1200HB
IXA33IF1200HB 高速 IGBT は、高速、高ゲインの 1200V 絶縁ゲートバイポーラトランジスタです。1200V XPT 高速 IGBT は、高電流定格 (105A~160A, Tc = 25C) で、最大 50kHz のハードスイッチング周波数を必要とする高電圧アプリケーションのスイッチング損失を低減するた…IXYH55N120B4H1
IXYH55N120B4H1 - 1200V、ソニックダイオード付き55A XPT™ Gen4 IGBTトランジスタ、5kHz~30kHzスイッチング用IGBTを貫通する極端なライトパンチ製品の説明当社独自のXPT™薄型ウェハ技術と最先端のトレンチIGBTプロセスを使用して開発されたこれらのデバイスは、熱抵抗…IXYK120N120C3
IXYK120N120C3デバイスは、最先端のgenx 3 IGBTプロセスと極軽量スルー(XPT)設計プラットフォームで製造され、高い電流処理能力、高速スイッチング能力、低総エネルギー損失、低電流降下時間などの特性を備えています。このIGBTは正の集電-エミッタ電圧温度系数を持ってい…IXYH10N170C
IXYH10N170Cデバイスは、独自の薄ウエハXPT技術と最先端のIGBTプロセスで設計され、低熱抵抗、低テール電流、低エネルギー損失、高速スイッチング能力などの特性を持っています。応用範囲はパルス回路、レーザーとX線発生器、高圧電源、高圧試験設備、コンデンサ放電回路…IXXX160N65B4
IXXX160N65B4デバイスはIXYS独自のXPT薄ウエハ技術と最先端の溝IGBTプロセスで開発され、低熱抵抗、低エネルギー、高速スイッチ、低テール電流、高電流密度を特徴としています。また、正方形の逆バイアス安全作業領域(RBSOA)と650Vの破壊電圧を備えており、バッファレスハ…IXYP20N65C3D1M
IXYP20N65C3D1Mは、20-60kHzスイッチング用極軽パンチスルーIGBTトランジスタです。特長20-60kHzスイッチング用に最適化電気絶縁用プラスチックオーバーモールドタブ正方形RBSOAアバランシェ定格アンチパラレル高速ダイオード短絡能力2500V~ 電気絶縁国際標準パッケージ利…連絡先電話:86-755-83294757
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