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SCT018W65G3-4AGシリコン・カーバイド・パワーMOSFETデバイスは、STの先進的かつ革新的な第3世代SiC MOSFET技術を搭載しています。 本デバイスは、全温度範囲にわたって極めて低いRDS（on）を実現するとともに、低キャパシタンスと非常に高いスイッチング動作により、周波数、エネルギー効率、およびシステム性能の面でアプリケーションの性能を向上させます。

製品特性

トランジスタタイプ： Nチャンネル

技術：MOSFET（酸化金属）

ドレイン・ソース間電圧（Vdss）：650 В

25°Cでの連続ドレイン電流（Id）： 55A（Tc）

電源電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）： 15V、18V 15V、18V

異なるId、Vgsでのオン抵抗（最大）： 27mΩ＠30A、18V

異なるIdでのVgs（th）（最大）：4.2V @ 5mA

ゲート電荷 (Qg) at Vgs (max): 77 nC @ 18V 77 nC @ 18V

Vgs（最大）：+22V、-10V

入力キャパシタンス（Ciss）（異なるVds（最大）時） 2077 pF @ 400 V

許容損失（最大）：398W（Tc）

動作温度： -55°C ~ 200°C (TJ)

グレード：自動車グレード

認証：AEC-Q101

実装タイプ：スルーホール

供給範囲： TO-247-4

パッケージ/ハウジング: TO-247-4

アプリケーション

● メインインバータ（電気牽引）

● 電気自動車/ハイブリッド車用DC/DCコンバータ

● 車載充電器（OBC）

• 1.プラットフォームで見た在庫、価格は正確ですか?

  答え:すべてのオンライン商品はオンラインで注文することができますが、現物の在庫の流動性が大きいことを考慮して、現在はまだ100%の正確さを実現できません。異常がある場合は、オンラインで弊社に連絡し、対応するソリューションを提供できます。

• 2.会社の商品はすべて本物ですか?

  答:私达の自営商品はすべて协力の国内外の原工场あるいは授権代理店から采取して、出所はすべて遡ることができて、原装正品を确保します。

• 3.元の工場や代理店の資質証明書を提供できますか?

  答え:現在、私たちの自営代理店 TI，ST，ADI，NXP，LATTICE，CYPRESS，INFINEON，XILINX などの一線ブランドが含まれており、その他のルートはすべて元の工場と代理ルートである。必要に応じて、具体的なブランドモデルについて確認することができます。

• 4.会社のウェブサイトで引き合いをしてもいいですか?

  答:ウェブサイトから、または電話やメールでお問い合わせいただけます。

• 5.注文したらいつ出荷できますか?どのくらいで着きますか。

  答え:ほとんどの商品情報には納期が表示されています。納期に基づいて商品の出荷時間を推定することができます。具体的な入荷時間は、商品の具体的な倉庫、選択した物流方式によって異なります。

• 6.会社は領収書を発行できますか?

  答:個人ユーザーのために普通の領収書を発行することができて、企業ユーザーのために付加価値税専用の領収書を発行することができます。