SCTWA40N12G24AGシリコン・カーバイド・パワーMOSFETデバイスは、STの先進的かつ革新的な第2世代SiC MOSFET技術を採用しています。 このデバイスは、単位面積当たりのオン抵抗が非常に低く、優れたスイッチング性能を特長としています。 スイッチング損失は、ジャンクション温度とはほとんど無関係に変化します。
製品特性
トランジスタタイプ: Nチャンネル
技術:MOSFET(酸化金属)
ドレイン・ソース間電圧(Vdss):1200 В
25°Cでの連続ドレイン電流(Id): 33A(Tc)
電源電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン): 18 Ω: 18 В
スイッチング抵抗(最大)、異なるId、Vgs時: 105 mΩ@20A、18V
異なるIdにおけるVgs(th) (最大): 5V @ 1mA
ゲート電荷量(Qg)、Vgs違い(最大): 63 nK @ 18V
最大電圧:+22V、-10V
入力キャパシタンス(Ciss)、Vds違い(最大): 1230 pF @ 800 V
許容損失(最大): 290 W (Tc): 290 W (Tc).
動作温度: -55°C ~ 200°C (TJ)
グレード:自動車グレード
認証:AEC-Q101
実装タイプ:スルーホール
供給範囲: TO-247-4
パッケージ/ハウジング:TO-247-4
アプリケーション
● メインインバータ(電気牽引)
● 電気自動車/ハイブリッド車用DC/DCコンバータ
● 車載充電器(OBC)
モデル
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パッヶージ
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