商品名称:SCT055W65G3-4AG
ブランド:ST
年:23+
パッヶージ:HiP247-4
納期:真新しいオリジナル
在庫数量:1000 件
SCT055W65G3-4AGシリコン・カーバイド・パワーMOSFETデバイスは、STの先進的かつ革新的な第3世代SiC MOSFET技術を採用しています。 本デバイスは、全温度範囲にわたって極めて低いRDS(on)、および低キャパシタンスと非常に高いスイッチング動作を特長としています。 低キャパシタンスと非常に高いスイッチング動作により、周波数、エネルギー効率、およびシステム性能の面でアプリケーション性能が向上します。
製品特性
トランジスタタイプ: Nチャンネル・トランジスタ
技術:SiC(炭化ケイ素接合トランジスタ)
ドレイン・ソース間電圧(Vdss):650 В
25°Cでの連続ドレイン電流(Id): 30A(Tc)
電源電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン): 15V, 18V 15V, 18V
スイッチング抵抗(最大)(Id、Vgsの違いによる): 72 mΩ@15A、18V
異なるIdでのVgs(th)(最大): 4.2V @ 1mA
ゲート電荷 (Qg) (最大): 32 nC @ 18V
最大Vgs:+18V、-5V
入力キャパシタンス(Ciss)(最大): 721 pF @ 40 V
許容損失(最大): 210 W (Tc): 210 W (Tc).
動作温度: -55°C ~ 200°C (TJ)
グレード:自動車グレード
認証:AEC-Q101
実装タイプ:スルーホール
供給範囲: TO-247-4
パッケージ/ハウジング: TO-247-4
アプリケーション
● メインインバータ(電気牽引)
● 電気自動車/ハイブリッド車用DC/DCコンバータ
● 車載充電器(OBC)
モデル
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パッヶージ
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説明
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