商品名称:IMZA65R048M1HXKSA1
データマニュアル:IMZA65R048M1HXKSA1.pdf
ブランド:INFINEON
年:23+
パッヶージ:PG-TO247-4-3
納期:新品のオリジナルです
在庫数量:1000 件
IMZA65R048M1H 650V CoolSiC™MOSFETは、高度なトレンチ半導体技術をベースに、最適化されています。to247-4ピンパッケージを採用し、ゲート回路へのソース寄生インダクタンスの影響を低減し、スイッチング速度を速め、効率を向上させます。
デバイス:IMZA65R048M1HXKSA1です
FETタイプ:Nチャネルです
技術:SiCFET(炭化ケイ素)です
リークソース電圧(Vdss): 650 Vです
25°C時電流-連続ドレイン(Id): 39A (Tc)です
駆動電圧(最大Rds On、最小Rds On): 18Vです。
異なるId、Vgs時オン抵抗(最大値):64ミリオ@ 20.1A, 18Vです。
Idが異なる場合Vgs(th)(最大値):5.7V @ 6mAです。
異なるVgs時ゲート電荷(Qg)(最大値):33 nC @ 18 Vです。
Vgs(最大値):+23V, -5Vです
異なるVds時入力容量(Ciss)(最大値):1118 pF @ 400 Vです。
FET機能:-です
消費電力(最大値):125W (Tc)です。
動作温度:-55℃~ 150℃(TJ)です。
取り付けタイプ:貫通穴です
サプライヤーデバイスパッケージ:pg-to247-4-3です。
パッケージ/ハウジング:to-247-4です。
基本品番:IMZA65です
モデル
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