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IMBG40R036M2H

製品の説明:CoolSiC™ MOSFET 400 V G2、D2PAK-7(TO-263-7)パッケージ、36 mΩ

パッヶージ:TO-263-7
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMT40R036M2H

製品の説明:CoolSiC™ MOSFET 400 V G2、TOLL(PG-HSOF-8)パッケージ、36 mΩ

パッヶージ:PG-HSOF-8
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMWH170R1K0M1

製品の説明:3 hcc采to−247−1700 v、パッケージの1000 mオメガcoolsic mosfet

パッヶージ:TO-247-3
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMWH170R450M1

製品の説明:3 hcc采to−247−1700 v、パッケージの450 mオメガcoolsic mosfet

パッヶージ:TO-247-3
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMWH170R650M1

製品の説明:采to−247−3 hccパッケージの1700 v、650 mオメガ分立式coolsic mosfet

パッヶージ:TO-247-3
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
F3L8MR12W2M1HPB11

製品の説明:MOSFETアレイ1200V (1.2kV) 85A (Tj)台設置ag-easy2b

パッヶージ:AG-EASY2B
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
FS150R12KT4

製品の説明:1200 V 150 A 6セルIGBTモジュール

パッヶージ:モジュール
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
SPA16N50C3

製品の説明:スルーホール Nチャンネル 560 V 16A(Tc) 34W(Tc) PG-TO220-3-31

パッヶージ:TO-220FP-3
10起
31518
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IPB038N12N3G

製品の説明:MOSFET Nチャンネル 120V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3

パッヶージ:PG-TO263-3
10起
22500
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
CY62157G18-55BVXA

製品の説明:SRAM -非同期メモリIC 8Mb並列55 ns 48-VFBGA (6x8)です。

パッヶージ:48-VFBGA
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
CY62157G18-55BVXI

製品の説明:SRAM -非同期メモリIC 8Mb並列55 ns 48-VFBGA (6x8)です。

パッヶージ:48-VFBGA
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
CY62157G30-45BVXI

製品の説明:SRAM -非同期メモリIC 8Mb並列45 ns 48-VFBGA (6x8)です。

パッヶージ:48-VFBGA
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
CY62157G30-45ZSX

製品の説明:SRAM -非同期メモリIC 8Mb並列45 ns 44-TSOP

パッヶージ:44-TSOP
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
CY62157G30-45ZXA

製品の説明:SRAM -非同期メモリIC 8Mb並列45 ns 48-TSOP

パッヶージ:48-TSOP
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
CY62167GN30-45BVXI

製品の説明:SRAM -非同期メモリIC 16Mb並列45 ns 48-VFBGA (6x8)です。

パッヶージ:48-VFBGA
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
CY62177G30-55BKXI

製品の説明:sram-非同期メモリic32 mb並列55 ns 48-FBGA (6x8)です。

パッヶージ:48-FBGA
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
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