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製品の説明:IGBTモジュール1200V, 25A, BL3,三相ブリッジ式高速IGBT 4台設置します
パッヶージ:モジュール製品の説明:IGBTモジュール1200V、40A、HPD、三相ブリッジ、ブレーキ、ソフトスタート、ソレノイド電源モジュール
パッヶージ:モジュール製品の説明:ネットワークとアクセサリのセキュリティ認証チップ8-SOICです
パッヶージ:8-SOIC製品の説明:ネットワークとアクセサリのセキュリティ認証チップ8-SOICです
パッヶージ:8-SOIC製品の説明:ネットワークとアクセサリのセキュリティ認証チップ3-SMDです
パッヶージ:3-SMD製品の説明:12.5 g非対称イコライザ/ドライバ/中継器16-QFN (4 × 4)です。
パッヶージ:QFN-16製品の説明:12.5 g非対称イコライザ/ドライバ/中継器16-QFN (4 × 4)です。
パッヶージ:QFN-16製品の説明:12.5 g非対称イコライザ/ドライバ/中継器16-QFN (4 × 4)です。
パッヶージ:QFN-16製品の説明:3.125 g非対称イコライザ/ドライバ/中継器16-QFN (4 × 4)です。
パッヶージ:QFN-16製品の説明:6.25 g非対称イコライザ/ドライバ/中継器16-QFN (4 × 4)です。
パッヶージ:QFN-16製品の説明:SiC MOSFETモジュール1200V 79A 310Wスタンド設置です
パッヶージ:Module製品の説明:SiC MOSFETモジュール700V 349A (Tc) 966W (Tc)スタンド設置です。
パッヶージ:Module製品の説明:炭化ケイ素(SiC) MOSFET貫通孔Nチャネル3300 V 104A (Tc) to-247-4です
パッヶージ:TO-247-4製品の説明:炭化ケイ素(SiC) MOSFET表面装着型Nチャンネル1200 V 12A (t) 92W (t) to-263 -7
パッヶージ:TO-263-7製品の説明:炭化ケイ素(SiC) MOSFET表面装着型Nチャンネル1200 V 43A (Tc) 268W (Tc) to-263-7
パッヶージ:TO-263-7製品の説明:炭化ケイ素(SiC) MOSFET表面装着型Nチャンネル700 V 34A (t) 156W (t) to-263-7
パッヶージ:TO-263-7連絡先電話:86-755-83294757
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