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AI アクセラレータ

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操作

FF600R12KE7PE

製品の説明:1200V 600AコモンエミッタIGBTモジュール

パッヶージ:モジュール
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
FF450R12KE7PE

製品の説明:1200V 450A コモンエミッタIGBTモジュール

パッヶージ:モジュール
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IRF7328TRPBF

製品の説明:30V PチャンネルパワーMOSFETトランジスタ

パッヶージ:SO-8
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMZA65R026M2H

製品の説明:650V、26mΩ、炭化ケイ素CoolSiC™ MOSFETトランジスタ、TO-247-4

パッヶージ:TO-247-4
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMZA65R010M2H

製品の説明:650V、10mΩ、炭化ケイ素CoolSiC™ MOSFETトランジスタ、TO-247-4パッケージ

パッヶージ:TO-247-4
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMW65R060M2H

製品の説明:650V、60mΩ、炭化ケイ素CoolSiC™ MOSFETトランジスタ、TO-247-3

パッヶージ:TO-247-3
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMZC120R078M2H

製品の説明:CoolSiC™ MOSFET ディスクリート 1200V G2 TO-247 4ピン 高沿面パッケージ

パッヶージ:TO-247-4
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMW65R033M2H

製品の説明:650V、33mΩ、炭化ケイ素CoolSiC™ MOSFETトランジスタ、TO-247-3

パッヶージ:TO-247-3
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMZC120R053M2

製品の説明:CoolSiC™ MOSFET ディスクリート 1200V G2 TO-247 4ピン 高沿面パッケージ

パッヶージ:TO-247-4
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMW65R026M2H

製品の説明:650V、26mΩ、炭化ケイ素CoolSiC™ MOSFETトランジスタ、TO-247-3

パッヶージ:TO-247-3
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMW65R010M2H

製品の説明:650V、10mΩ、炭化ケイ素CoolSiC™ MOSFETトランジスタ、TO-247-3

パッヶージ:TO-247-3
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IKWH70N67PR7

製品の説明:670V、70A TRENCHSTOP™ IGBT7 PR7、アンチパラレルダイオード付き

パッヶージ:TO-247-3
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IKWH60N67PR7

製品の説明:670V、60A TRENCHSTOP™ IGBT7 PR7、アンチパラレルダイオード付き

パッヶージ:TO-247-3
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IGLR65R140D2

製品の説明:650V、CoolGaN™ G5シリーズ - GaNパワートランジスタ、PG-TSON-8

パッヶージ:PG-TSON-8
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IKWH50N67PR7

製品の説明:670V、50A TRENCHSTOP™ IGBT7 PR7、アンチパラレルダイオード付き

パッヶージ:TO-247-3
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
FF4000UXTR33T2M1

製品の説明:3.3kV、4.0mΩ、XHP™ 2 CoolSiC™ MOSFETハーフブリッジモジュール

パッヶージ:モジュール
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
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