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AIプロセッサー・チップ

抵抗器ネットワーク

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操作

STM32F767IIT6
ST

製品の説明:DSPとFPUを搭載した高性能ARM Cortex-M7 MCU(2 MBフラッシュメモリ、512 B RAM)

パッヶージ:LQFP-176
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
STM32F103ZGT6
ST

製品の説明:72 MHzメインストリーム増強型ARM Cortex-M3 MCU(1 MBフラッシュメモリ、96 KB RAM)

パッヶージ:LQFP-144
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
STM32FEBKC6T6A
ST

製品の説明:ARMマイクロコントローラ - MCUメインストリーム性能ライン、ARM Cortex-M3 MCUウィット、16/32ビットMICROS

パッヶージ:LQFP-48
10起
20000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
SPC563M64L5COAR
ST

製品の説明:車載パワートレイン・アプリケーション向け32ビット・パワー・アーキテクチャMCU

パッヶージ:LQFP-144
10起
2500
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
STM32G070CBT6TR
ST

製品の説明:ARMマイクロコントローラ - 128Kバイトのフラッシュメモリ、36KバイトのRAMを備えたMCU Arm Cortex-M0+ MCU

パッヶージ:LQFP-48
10起
4800
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
STGIPNS4C60T-H
ST

製品の説明:SLLIMMナノIPM、5 A、600 V、三相インバータブリッジIGBT

パッヶージ:NSDIP-26
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
STGY40NC60VD
ST

製品の説明:Nチャネル600 V、50 A超高速PowerMESH VシリーズIGBT

パッヶージ:Max247-3
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
STGB10NC60HDT4
ST

製品の説明:600 V、10 A超高速PowerMESH IGBTトランジスタ

パッヶージ:D2PAK-3
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
STGHU30M65DF2AG
ST

製品の説明:650 V、30 A車規級トレンチゲート電界カット低損失MシリーズIGBT

パッヶージ:HU3PAK-7
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
STGWA60V60DF
ST

製品の説明:600 V、60 A超高速トレンチゲート電界カットIGBT

パッヶージ:TO-247-3
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
STGWA60H65DFB
ST

製品の説明:650 V、60 A高速トレンチゲート電界カットHBシリーズIGBT

パッヶージ:TO-247-3
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
STGWA40M120DF3
ST

製品の説明:1200 V、40 Aトレンチゲート電界カット低損失MシリーズIGBT

パッヶージ:TO-247-3
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
STGW8M120DF3
ST

製品の説明:1200 V、8 Aトレンチゲート電界カット低損失MシリーズIGBT

パッヶージ:TO-247-3
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
STGW40H65DFB
ST

製品の説明:650 V、40 A高速トレンチゲート電界カットHBシリーズIGBT

パッヶージ:TO-247-3
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
STGW40H120DF2
ST

製品の説明:1200 V、40 A高速トレンチゲート電界カットH係IGBT

パッヶージ:TO-247-3
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
STGW30V60DF
ST

製品の説明:600 V、30 A超高速トレンチゲート電界カットV係IGBT

パッヶージ:TO-247-3
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
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