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製品の説明:1200V/2.15mΩ SiC MOSFETモジュール
パッヶージ:P6製品の説明:1200V/2.15mΩ SiC MOSFETモジュール
パッヶージ:P6製品の説明:750V/1.70mΩ SiC MOSFETモジュール
パッヶージ:P6製品の説明:750V/1.70mΩ SiC MOSFETモジュール
パッヶージ:P6製品の説明:750V/1.25mΩ SiC MOSFETモジュール
パッヶージ:P6製品の説明:1200V/2.90mΩ SiCモジュール 6セルPINFIN基板
パッヶージ:P6製品の説明:1200V/2.12 mΩ SiCモジュールハーフブリッジ射出成形、PINFIN基板
パッヶージ:N6製品の説明:1200V/2.12 mΩ SiCモジュールハーフブリッジ射出成形、PINFIN基板
パッヶージ:N6製品の説明:1200V/2.12 mΩ SiCモジュールハーフブリッジ射出成形、PINFIN基板
パッヶージ:N6製品の説明:1200V/2.83mΩ SiCモジュールハーフブリッジ射出成形、PINFIN基板
パッヶージ:N4製品の説明:1200V/400A 6セルIGBTモジュール、P6パッケージ
パッヶージ:P6製品の説明:1700V/1200A HブリッジIGBTパワーモジュール
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