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AIプロセッサー・チップ

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MD22HTC120P6HEF

製品の説明:1200V/2.15mΩ SiC MOSFETモジュール

パッヶージ:P6
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
MD22HTC120P6HE

製品の説明:1200V/2.15mΩ SiC MOSFETモジュール

パッヶージ:P6
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
MD17HTC75P6HEL

製品の説明:750V/1.70mΩ SiC MOSFETモジュール

パッヶージ:P6
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
MD17HTC75P6HE

製品の説明:750V/1.70mΩ SiC MOSFETモジュール

パッヶージ:P6
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
MD13HTC75P6HE

製品の説明:750V/1.25mΩ SiC MOSFETモジュール

パッヶージ:P6
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
DM88C12T6

製品の説明:ダイオードなしの1200V/8.86mΩモスフェット

パッヶージ:T6
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
DM88S12T6

製品の説明:ダイオードなしの1200V/8.8 mΩモスフェット

パッヶージ:T6
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
DM50S08T6

製品の説明:ダイオードなしの750V/5.0mΩモスフェット

パッヶージ:T6
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
DM50C08T6

製品の説明:ダイオードなしの750V/5.00mΩモスフェット

パッヶージ:T6
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
MD29HTS120P6HET

製品の説明:1200V/2.90mΩ SiCモジュール 6セルPINFIN基板

パッヶージ:P6
10起
1000
1 +
10 +
25 +
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MD22HFS120N6HY

製品の説明:1200V/2.12 mΩ SiCモジュールハーフブリッジ射出成形、PINFIN基板

パッヶージ:N6
10起
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1 +
10 +
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MD22HFC120N6HY

製品の説明:1200V/2.12 mΩ SiCモジュールハーフブリッジ射出成形、PINFIN基板

パッヶージ:N6
10起
1000
1 +
10 +
25 +
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MD22HFC120N6HT

製品の説明:1200V/2.12 mΩ SiCモジュールハーフブリッジ射出成形、PINFIN基板

パッヶージ:N6
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
MD29HFC120N4HFY

製品の説明:1200V/2.83mΩ SiCモジュールハーフブリッジ射出成形、PINFIN基板

パッヶージ:N4
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
GD400HTX120P6HT

製品の説明:1200V/400A 6セルIGBTモジュール、P6パッケージ

パッヶージ:P6
10起
1500
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
GD1200SGX170A3S

製品の説明:1700V/1200A HブリッジIGBTパワーモジュール

パッヶージ:A3
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
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