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AIプロセッサー・チップ

抵抗器ネットワーク

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在庫品

購入数量

単価

操作

DZ800S17K3

製品の説明:1700V 800AダイオードIGBTモジュール

パッヶージ:AG-62MMES
0起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
TDB6HK360N16P

製品の説明:IGBTモジュール1600Vハーフブリッジ製御モジュール

パッヶージ:AG-ECONO4
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
CY7C1041G30-10ZSXI

製品の説明:パラレルインタフェース付き高性能4MビットFAST SRAMメモリ

パッヶージ:TSOP-44
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
BSZ075N08NS5

製品の説明:80V、OptiMOS™5 パワーMOSFETトランジスタ

パッヶージ:PG-TSDSON-8
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
TZ800N18KOF

製品の説明:圧力接触技術を採用した70mm単結晶サイリスタモジュール、1800V

パッヶージ:BG-PB70AT-1
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
SPD15P10PL

製品の説明:DPAKパッケージのPチャンネルパワーMOSFET

パッヶージ:TO-252-3
10起
30000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
TZ740N22KOF

製品の説明:圧力接触技術を採用した70mm単結晶サイリスタモジュール、2200V

パッヶージ:BG-PB70AT-1
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
TZ500N18KOF

製品の説明:圧力接触技術を採用した50mm単結晶サイリスタモジュール、1800V

パッヶージ:BG-PB501-1
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
TZ430N22KOF

製品の説明:圧力接触技術を採用した50mm単結晶サイリスタモジュール、2200V

パッヶージ:BG-PB501-1
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
TT520N22KOF

製品の説明:圧力接触技術を採用した60mmサイリスタ/ダイオードモジュール、2200V

パッヶージ:BG-PB60AT-1
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
TT251N16KOF

製品の説明:圧力接触技術を採用した50mmサイリスタ/ダイオードモジュール、1600V

パッヶージ:BG-PB50-1
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
TLE4946-2K

製品の説明:ボードインターフェース ホール効果/磁気センサー マグネットスイッチラッチ SC59

パッヶージ:SOT-23-3
10起
9000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
TT215N22KOF

製品の説明:圧力接触技術を採用した50mmサイリスタ/ダイオードモジュール、2200V

パッヶージ:BG-PB50-1
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
TD320N16SOF

製品の説明:溶接技術を採用した50mmサイリスタ/ダイオードモジュール、1600V

パッヶージ:BG-PB50SB-1
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
TT320N18SOF

製品の説明:溶接技術を採用した50mmサイリスタ/ダイオードモジュール、1800V

パッヶージ:BG-PB50SB-1
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
TT280N16SOF

製品の説明:溶接技術を採用した50mmサイリスタ/ダイオードモジュール、1600V

パッヶージ:BG-PB50SB-1
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
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