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MSC025SMA120B4

製品の説明:貫通孔Nチャネル1200 V 103A (t) 500W (t) to-247−4です

パッヶージ:TO-247-4
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
AT91SAM9M10C-CU

製品の説明:ARM926EJ-S マイクロプロセッサIC SAM9G 1コア、32ビット 400MHz

パッヶージ:324-TFBGA
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
AT91SAM9G46B-CU

製品の説明:ARM926EJ-S マイクロプロセッサIC SAM9G 1コア、32ビット 400MHz

パッヶージ:324-TFBGA
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
AT91SAM9XE512B-CU

製品の説明:ARM926EJ-S マイクロプロセッサIC SAM9XE 1コア、32ビット 180MHz

パッヶージ:217-LFBGA
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
MSCSM70VM19C3AG

製品の説明:MOSFET−アレイ700V 124A (t) 365W (t)台マウントSP3F

パッヶージ:SP3F
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
MSCSM70VM10C4AG

製品の説明:MOSFETアレイ700V 238A (t) 674W (t)台マウントSP4です

パッヶージ:SP4
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
MSCSM120AM042CT6LIAG

製品の説明:MOSFETアレイ1200V (1.2kV) 495A (Tc) 2.031kW (Tc)台にSP6C LIを搭載します。

パッヶージ:SP6C LI
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
MSCSM120AM042CT6AG

製品の説明:MOSFETアレイ1200V (1.2kV) 495A (Tc) 2.031kW (Tc)台設置SP6C

パッヶージ:SP6C
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
MSCSM120AM042CD3AG

製品の説明:MOSFETアレイ1200V (1.2kV) 495A (t) 2.031kW (t)台設置D3です。

パッヶージ:D3
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
MSCSM120AM03CT6LIAG

製品の説明:MOSFETアレイ1200V (1.2kV) 805A (Tc) 3.215kW (Tc)台にSP6C LIを搭載します。

パッヶージ:SP6C LI
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
MSCSM120AM027CD3AG

製品の説明:MOSFETアレイ1200V (1.2kV) 733A (t) 2.97kW (t)台設置D3です。

パッヶージ:D3
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
MSC2X50SDA120J

製品の説明:ダイオードアレイ2基独立式1200 V 50A (DC)スタンドsot-227-4, miniBLOCを搭載します。

パッヶージ:SOT-227-4
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
MSC050SDA120S

製品の説明:ダイオード1200 V 50A表面装着型D3PAKです

パッヶージ:TO-268
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
MSC050SDA120BCT

製品の説明:ダイオード1200 V 109A貫通孔to-247-3です

パッヶージ:TO-247-3
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
MSC050SDA120B

製品の説明:ダイオード1200 V 109Aスルーホールto-247です

パッヶージ:TO-247
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
MSC030SDA120B

製品の説明:ダイオード1200 V 30A貫通孔to-247です

パッヶージ:TO-247-2
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
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